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1
The influence of the AC component of the plasma potential on the measurement of the ion flux
The influence of the AC component of the plasma potential on the measurement of the ion flux
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

The influence of the AC component of the plasma potential on the measurement of the ion flux

Jacobus Willibrordus Swart 1950- Patrick Bernard Verdonck 1958-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (19. 2004 Porto de Galinhas)

Santos, E. J. B.; Ribas, R. P.; Swart, J. eds Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03 Pennington: The Electrochemical Society, 2004

Pennington The Electrochemical Society 2004

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2
Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications

Marcelo Antonio Pavanello Antonio Cerdeira; Miguel A Alemán; João Antonio Martino 1959-; Laurent Vancaillie; Denis Flandre; International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (12 2005 Quebec, Canada)

Celler,G.K; Cristoloveanu, S.; Gámiz, F.; Fossum, J.G.; Izumi, K. International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings Pennington: The Electrochemical Society, 2005

Pennington The Electrochemical Society 2005

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3
Analysis of deep submicrometer bulk and fully depleted soi nmosfet analog operation at cryogenic temperatures
Analysis of deep submicrometer bulk and fully depleted soi nmosfet analog operation at cryogenic temperatures
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of deep submicrometer bulk and fully depleted soi nmosfet analog operation at cryogenic temperatures

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (12 2005 Quebec, Canada)

Celler,G.K; Cristoloveanu, S.; Gámiz, F.; Fossum, J.G.; Izumi, K. International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings Pennington: The Electrochemical Society, 2005

Pennington The Electrochemical Society 2005

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4
Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; Symposium Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity (4th 1997 Montreal, Canada)

Claeys, C.L.; Raider, S.I.; Deen, M.J.; Brown, W.D.; Kirschman, R.K. 4. Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity: proceedings Pennington: The Electrochemical Society, 1997

Pennington The Electrochemical Society 1997

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5
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Symposium Silicon-on-Insulator Technology and Devices (3d 1997 Paris, France)

Cristoloveanu, S et al Proceedings 3. Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices Pennington: The Electrochemical Society, 1997

Pennington The Electrochemical Society 1997

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6
Theoretical and experimental study of the front and back interface trap density in accumulation mode SOI MOSFETs at low temperatures
Theoretical and experimental study of the front and back interface trap density in accumulation mode SOI MOSFETs at low temperatures
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Theoretical and experimental study of the front and back interface trap density in accumulation mode SOI MOSFETs at low temperatures

João Antonio Martino 1959- Eddy Simoen; Cor Claeys

Claeys, C.L.; Raider, S.I.; Brown, W.D.; Kirschman, R.K. Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity Pennington: The Electrochemical Society, 1995

Pennington The Electrochemical Society 1995

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7
Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs
Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs

João Antonio Martino 1959- J.M Rafi; A Mercha; Eddy Simoen; Cor Claeys; Symposium on High Purity Silicon (8 2004 Honolulu, Hawaii)

Claeys, C.L.; Watanabe, M.; Falster, R.; Stallhofer, P. 8. Symposium on High Purity Silicon: proceedings Pennington: The Electrochemical Society, 2004

Pennington The Electrochemical Society 2004

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8
Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta
Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta

João Antonio Martino 1959- Antonio Carlos Seabra 1961-; Jacobus Willibrordus Swart 1950-; Ivan Carlos Braz; K Favoretto; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (2. 1987 São Paulo)

Anais São Paulo : Sbmicro/Epusp, 1987

São Paulo Sbmicro/Epusp 1987

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9
Ferramenta CAD para extração de modelo de cobertura de saída por itens em verificação funcional.
Ferramenta CAD para extração de modelo de cobertura de saída por itens em verificação funcional.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Ferramenta CAD para extração de modelo de cobertura de saída por itens em verificação funcional.

Muñoz Quispe, Joel Iván

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2011-10-25

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

10
Gerador de sinais para aplicação da espectroscopia de bioimpedânica elétrica na detecção de câncer.
Gerador de sinais para aplicação da espectroscopia de bioimpedânica elétrica na detecção de câncer.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Gerador de sinais para aplicação da espectroscopia de bioimpedânica elétrica na detecção de câncer.

Amaya Palacio, Jose Alejandro

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-06-01

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Van Noije, W
  3. Simoen, E
  4. Wang, J
  5. Claeys, C

Neste Assunto:

  1. Microeletrônica
  2. Microelectronics
  3. Integrated Circuits
  4. Silício
  5. TELECOMUNICAÇÕES

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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