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Refinado por: Nome da Publicação: Hyperfine Interactions remover
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1
Cross relaxation studied by β NMR
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Artigo
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Cross relaxation studied by β NMR

Stöckmann, H. -J. ; Jäger, E. ; Sulzer, G. ; Ittermann, B. ; Ackermann, H. ; Diehl, E. ; Dippel, R. ; Fischer, B. ; Frank, H. -P. ; Seelinger, W.

Hyperfine interactions, 1989-06, Vol.49 (1-4), p.235-252 [Periódico revisado por pares]

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2
Implantation site of boron in heavily doped silicon: A β-NMR study
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Implantation site of boron in heavily doped silicon: A β-NMR study

Metzner, H. ; Sulzer, G. ; Seelinger, W. ; Ittermann, B. ; Erank, H. -P. ; Fischer, B. ; Ergezinger, K. -H. ; Dippel, R. ; Diehl, E. ; Stöckmann, H. -J. ; Ackermann, H.

Hyperfine interactions, 1990-08, Vol.60 (1-4), p.769-772 [Periódico revisado por pares]

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3
radiation detected nuclear magnetic resonance studies of point defects in semiconductors
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radiation detected nuclear magnetic resonance studies of point defects in semiconductors

Ittermann, B. ; Ackermann, H. ; Diehl, E. ; Fischer, B. ; Frank, H. -P. ; St ckmann, H. -J.

Hyperfine interactions, 1993, Vol.79 (1-4), p.591-607 [Periódico revisado por pares]

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4
NMR and cross relaxation of substitutional and interstitial12B in vanadium
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NMR and cross relaxation of substitutional and interstitial12B in vanadium

Ittermann, B. ; Bürkmann, K. ; Diehl, E. ; Dippel, R. ; Fischer, B. ; Frank, H. -P. ; Jäger, E. ; Seelinger, W. ; Sulzer, G. ; Ackermann, H. ; Stöckmann, H. -J.

Hyperfine interactions, 1990-08, Vol.60 (1-4), p.761-764 [Periódico revisado por pares]

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5
Cross relaxation of β active nuclei: Principles and applications to12B in fcc metals
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Cross relaxation of β active nuclei: Principles and applications to12B in fcc metals

Stöckmann, H. -J. ; Jäger, E. ; Sulzer, G. ; Ittermann, B. ; Ackermann, H. ; Diehl, E. ; Dippel, R. ; Fischer, B. ; Frank, H. -P. ; Seelinger, W.

Hyperfine interactions, 1990-08, Vol.60 (1-4), p.765-768 [Periódico revisado por pares]

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6
Interstitial related defect of12B implanted into n- and p-type silicon
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Interstitial related defect of12B implanted into n- and p-type silicon

Frank, H. -P. ; Almeida, T. ; Diehl, E. ; Ergezinger, K. -H. ; Fischer, B. ; Ittermann, B. ; Mai, F. ; Seelinger, W. ; Weissenmayer, S. ; Welker, G. ; Ackermann, H. ; St ckmann, H. -J.

Hyperfine interactions, 1993, Vol.79 (1-4), p.655-658 [Periódico revisado por pares]

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7
Cross Relaxation of beta Active Nuclei: Principles and Applications to Boron-12 in FCC Metals
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Cross Relaxation of beta Active Nuclei: Principles and Applications to Boron-12 in FCC Metals

Stoeckmann, H J ; Jaeger, E ; Sulzer, G ; Ittermann, B ; Ackermann, H ; Diehl, E ; Dippel, R ; Fischer, B ; Frank, H P ; Seelinger, W

Hyperfine interactions, 1990-01, Vol.60 (1-4), p.765-768 [Periódico revisado por pares]

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