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High external quantum efficiency and fill-factor InGaN/GaN heterojunction solar cells grown by NH3-based molecular beam epitaxy
High external quantum efficiency and fill-factor InGaN/GaN heterojunction solar cells grown by NH3-based molecular beam epitaxy
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High external quantum efficiency and fill-factor InGaN/GaN heterojunction solar cells grown by NH3-based molecular beam epitaxy

Lang, J. R. ; Neufeld, C. J. ; Hurni, C. A. ; Cruz, S. C. ; Matioli, E. ; Mishra, U. K. ; Speck, J. S.

Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (13) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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2
Effect of intentional p-GaN surface roughening on the performance of InGaN/GaN solar cells
Effect of intentional p-GaN surface roughening on the performance of InGaN/GaN solar cells
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Effect of intentional p-GaN surface roughening on the performance of InGaN/GaN solar cells

Farrell, R. M. ; Al-Heji, A. A. ; Neufeld, C. J. ; Chen, X. ; Iza, M. ; Cruz, S. C. ; Keller, S. ; Nakamura, S. ; DenBaars, S. P. ; Mishra, U. K. ; Speck, J. S.

Applied physics letters, 2013-12, Vol.103 (24) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Optimization of Annealing Process for Improved InGaN Solar Cell Performance
Optimization of Annealing Process for Improved InGaN Solar Cell Performance
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Optimization of Annealing Process for Improved InGaN Solar Cell Performance

Das, N.C. ; Reed, M.L. ; Sampath, A.V. ; Shen, H. ; Wraback, M. ; Farrell, R.M. ; Iza, M. ; Cruz, S.C. ; Lang, J.R. ; Young, N.G. ; Terao, Y. ; Neufeld, C. J. ; Keller, S. ; Nakamura, S. ; DenBaars, S.P. ; Mishra, U.K. ; Speck, J.S.

Journal of electronic materials, 2013-12, Vol.42 (12), p.3467-3470 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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4
High internal and external quantum efficiency InGaN/GaN solar cells
High internal and external quantum efficiency InGaN/GaN solar cells
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High internal and external quantum efficiency InGaN/GaN solar cells

Matioli, Elison ; Neufeld, Carl ; Iza, Michael ; Cruz, Samantha C. ; Al-Heji, Ali A. ; Chen, Xu ; Farrell, Robert M. ; Keller, Stacia ; DenBaars, Steven ; Mishra, Umesh ; Nakamura, Shuji ; Speck, James ; Weisbuch, Claude

Applied physics letters, 2011-01, Vol.98 (2), p.021102-021102-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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5
High quantum efficiency InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with spectral response extending out to 520 nm
High quantum efficiency InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with spectral response extending out to 520 nm
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High quantum efficiency InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with spectral response extending out to 520 nm

Farrell, R. M. ; Neufeld, C. J. ; Cruz, S. C. ; Lang, J. R. ; Iza, M. ; Keller, S. ; Nakamura, S. ; DenBaars, S. P. ; Mishra, U. K. ; Speck, J. S.

Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (20) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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6
Optical properties of GaN nanopillar and nanostripe arrays with embedded InGaN/GaN multi quantum wells
Optical properties of GaN nanopillar and nanostripe arrays with embedded InGaN/GaN multi quantum wells
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Optical properties of GaN nanopillar and nanostripe arrays with embedded InGaN/GaN multi quantum wells

Keller, S. ; Fichtenbaum, N. A. ; Schaake, C. ; Neufeld, C. J. ; David, A. ; Matioli, E. ; Wu, Y. ; DenBaars, S. P. ; Speck, J. S. ; Weisbuch, C. ; Mishra, U. K.

Physica Status Solidi (b), 2007-06, Vol.244 (6), p.1797-1801 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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7
MOCVD regrowth of InGaN on N-polar and Ga-polar pillar and stripe nanostructures
MOCVD regrowth of InGaN on N-polar and Ga-polar pillar and stripe nanostructures
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MOCVD regrowth of InGaN on N-polar and Ga-polar pillar and stripe nanostructures

Fichtenbaum, N. A. ; Neufeld, C. J. ; Schaake, C. ; Wu, Y. ; Wong, M. H. ; Grundmann, M. ; Keller, S. ; DenBaars, S. P. ; Speck, J. S. ; Mishra, U. K.

Physica Status Solidi (b), 2007-06, Vol.244 (6), p.1802-1805 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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8
Effect of quantum well cap layer thickness on the microstructure and performance of InGaN/GaN solar cells
Effect of quantum well cap layer thickness on the microstructure and performance of InGaN/GaN solar cells
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Effect of quantum well cap layer thickness on the microstructure and performance of InGaN/GaN solar cells

Hu, Yan-Ling ; Farrell, Robert M. ; Neufeld, Carl J. ; Iza, Michael ; Cruz, Samantha C. ; Pfaff, Nathan ; Simeonov, Dobri ; Keller, Stacia ; Nakamura, Shuji ; DenBaars, Steven P. ; Mishra, Umesh K. ; Speck, James S.

Applied physics letters, 2012-04, Vol.100 (16), p.161101-161101-4 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
InGaN/GaN nanopillar-array light emitting diodes
InGaN/GaN nanopillar-array light emitting diodes
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InGaN/GaN nanopillar-array light emitting diodes

Neufeld, C. J. ; Schaake, C. ; Grundmann, M. ; Fichtenbaum, N. A. ; Keller, S. ; Mishra, U. K.

Physica status solidi. C, 2007-04, Vol.4 (5), p.1605-1608 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Optical and structural properties of GaN nanopillar and nanostripe arrays with embedded InGaN∕GaN multi-quantum wells
Optical and structural properties of GaN nanopillar and nanostripe arrays with embedded InGaN∕GaN multi-quantum wells
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Optical and structural properties of GaN nanopillar and nanostripe arrays with embedded InGaN∕GaN multi-quantum wells

Keller, S. ; Schaake, C. ; Fichtenbaum, N. A. ; Neufeld, C. J. ; Wu, Y. ; McGroddy, K. ; David, A. ; DenBaars, S. P. ; Weisbuch, C. ; Speck, J. S. ; Mishra, U. K.

Journal of applied physics, 2006-09, Vol.100 (5) [Periódico revisado por pares]

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