skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Physics remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Spin-wave focusing induced skyrmion generation
Spin-wave focusing induced skyrmion generation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Spin-wave focusing induced skyrmion generation

Wang, Zhenyu ; Li, Z.-X. ; Wang, Ruifang ; Liu, Bo ; Meng, Hao ; Cao, Yunshan ; Yan, Peng

Applied physics letters, 2020-11, Vol.117 (22) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Origin of InGaN light-emitting diode efficiency improvements using chirped AlGaN multi-quantum barriers
Origin of InGaN light-emitting diode efficiency improvements using chirped AlGaN multi-quantum barriers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Origin of InGaN light-emitting diode efficiency improvements using chirped AlGaN multi-quantum barriers

Piprek, Joachim ; Simon Li, Z. M.

Applied physics letters, 2013-01, Vol.102 (2) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Effect of multiquantum barriers in performance enhancement of GaN-based light-emitting diodes
Effect of multiquantum barriers in performance enhancement of GaN-based light-emitting diodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of multiquantum barriers in performance enhancement of GaN-based light-emitting diodes

Sheng Xia, Chang ; Simon Li, Z. M. ; Li, Z. Q. ; Sheng, Y.

Applied physics letters, 2013-01, Vol.102 (1), p.13507 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Sensitivity analysis of electron leakage in III-nitride light-emitting diodes
Sensitivity analysis of electron leakage in III-nitride light-emitting diodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Sensitivity analysis of electron leakage in III-nitride light-emitting diodes

Piprek, Joachim ; Simon Li, Z. M.

Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (13) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
The contribution of distinct response characteristics of Fe atoms to switching of magnetic anisotropy in Fe4N/MgO heterostructures
The contribution of distinct response characteristics of Fe atoms to switching of magnetic anisotropy in Fe4N/MgO heterostructures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The contribution of distinct response characteristics of Fe atoms to switching of magnetic anisotropy in Fe4N/MgO heterostructures

Li, Z. R. ; Mi, W. B. ; Bai, H. L.

Applied physics letters, 2018-09, Vol.113 (13) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Multilayered graphene used as anode of organic light emitting devices
Multilayered graphene used as anode of organic light emitting devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Multilayered graphene used as anode of organic light emitting devices

Sun, T ; Wang, Z L ; Shi, Z J ; Ran, G Z ; Xu, W J ; Wang, Z Y ; Li, Y Z ; Dai, L ; Qin, G G

Applied physics letters, 2010-03, Vol.96 (13), p.133301-133301-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Electronic structure of a superconducting topological insulator Sr-doped Bi2Se3
Electronic structure of a superconducting topological insulator Sr-doped Bi2Se3
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure of a superconducting topological insulator Sr-doped Bi2Se3

Han, C. Q. ; Li, H. ; Chen, W. J. ; Zhu, Fengfeng ; Yao, Meng-Yu ; Li, Z. J. ; Wang, M. ; Gao, Bo F. ; Guan, D. D. ; Liu, Canhua ; Gao, C. L. ; Qian, Dong ; Jia, Jin-Feng

Applied physics letters, 2015-10, Vol.107 (17) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
On the importance of AlGaN electron blocking layer design for GaN-based light-emitting diodes
On the importance of AlGaN electron blocking layer design for GaN-based light-emitting diodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On the importance of AlGaN electron blocking layer design for GaN-based light-emitting diodes

Sheng Xia, Chang ; Simon Li, Z. M. ; Sheng, Yang

Applied physics letters, 2013-12, Vol.103 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Effect of vacancies on thermoelectric properties of β-CuAgSe studied by positron annihilation
Effect of vacancies on thermoelectric properties of β-CuAgSe studied by positron annihilation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of vacancies on thermoelectric properties of β-CuAgSe studied by positron annihilation

Gu, B. C. ; Li, Z. ; Liu, J. D. ; Zhang, H. J. ; Ye, B. J.

Applied physics letters, 2019-11, Vol.115 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Back-illuminated separate absorption and multiplication AlGaN solar-blind avalanche photodiodes
Back-illuminated separate absorption and multiplication AlGaN solar-blind avalanche photodiodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Back-illuminated separate absorption and multiplication AlGaN solar-blind avalanche photodiodes

Huang, Y. ; Chen, D. J. ; Lu, H. ; Dong, K. X. ; Zhang, R. ; Zheng, Y. D. ; Li, L. ; Li, Z. H.

Applied physics letters, 2012-12, Vol.101 (25) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.