skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Physics remover Photoluminescence remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Enhanced quantum yield of photoluminescent porous silicon prepared by supercritical drying
Enhanced quantum yield of photoluminescent porous silicon prepared by supercritical drying
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Enhanced quantum yield of photoluminescent porous silicon prepared by supercritical drying

Joo, Jinmyoung ; Defforge, Thomas ; Loni, Armando ; Kim, Dokyoung ; Li, Z. Y. ; Sailor, Michael J. ; Gautier, Gael ; Canham, Leigh T.

Applied physics letters, 2016-04, Vol.108 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Semi-polar (11-22) AlGaN on overgrown GaN on micro-rod templates: Simultaneous management of crystal quality improvement and cracking issue
Semi-polar (11-22) AlGaN on overgrown GaN on micro-rod templates: Simultaneous management of crystal quality improvement and cracking issue
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Semi-polar (11-22) AlGaN on overgrown GaN on micro-rod templates: Simultaneous management of crystal quality improvement and cracking issue

Li, Z. ; Jiu, L. ; Gong, Y. ; Wang, L. ; Zhang, Y. ; Bai, J. ; Wang, T.

Applied physics letters, 2017-02, Vol.110 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Optical investigation of semi-polar (11-22) AlxGa1-xN with high Al composition
Optical investigation of semi-polar (11-22) AlxGa1-xN with high Al composition
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical investigation of semi-polar (11-22) AlxGa1-xN with high Al composition

Li, Z. ; Wang, L. ; Jiu, L. ; Bruckbauer, J. ; Gong, Y. ; Zhang, Y. ; Bai, J. ; Martin, R. W. ; Wang, T.

Applied physics letters, 2017-02, Vol.110 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Modification of far-field radiation pattern by shaping InGaN/GaN nanorods
Modification of far-field radiation pattern by shaping InGaN/GaN nanorods
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Modification of far-field radiation pattern by shaping InGaN/GaN nanorods

Jiao, Q. Q. ; Chen, Z. Z. ; Feng, Y. L. ; Zhang, S. ; Li, S. F. ; Jiang, S. X. ; Li, J. Z. ; Chen, Y. F. ; Yu, T. J. ; Kang, X. N. ; Gu, E. ; Shen, B. ; Zhang, G. Y.

Applied physics letters, 2017-01, Vol.110 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Low-temperature interface engineering for high-quality ZnO epitaxy on Si(111) substrate
Low-temperature interface engineering for high-quality ZnO epitaxy on Si(111) substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low-temperature interface engineering for high-quality ZnO epitaxy on Si(111) substrate

Wang, X. N. ; Wang, Y. ; Mei, Z. X. ; Dong, J. ; Zeng, Z. Q. ; Yuan, H. T. ; Zhang, T. C. ; Du, X. L. ; Jia, J. F. ; Xue, Q. K. ; Zhang, X. N. ; Zhang, Z. ; Li, Z. F. ; Lu, W.

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (15) [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
The origin of deep-level impurity transitions in hexagonal boron nitride
The origin of deep-level impurity transitions in hexagonal boron nitride
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The origin of deep-level impurity transitions in hexagonal boron nitride

Du, X. Z. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.

Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (2) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
The origins of near band-edge transitions in hexagonal boron nitride epilayers
The origins of near band-edge transitions in hexagonal boron nitride epilayers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The origins of near band-edge transitions in hexagonal boron nitride epilayers

Du, X. Z. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.

Applied physics letters, 2016-02, Vol.108 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Carbon-related donor–acceptor pair transition in the infrared in h-BN
Carbon-related donor–acceptor pair transition in the infrared in h-BN
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Carbon-related donor–acceptor pair transition in the infrared in h-BN

Almohammad, M. ; Alemoush, Z. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.

Applied physics letters, 2024-03, Vol.124 (10) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Optical identification of oxygen vacancy types in SnO2 nanocrystals
Optical identification of oxygen vacancy types in SnO2 nanocrystals
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical identification of oxygen vacancy types in SnO2 nanocrystals

Liu, L. Z. ; Xu, J. Q. ; Wu, X. L. ; Li, T. H. ; Shen, J. C. ; Chu, Paul K.

Applied physics letters, 2013-01, Vol.102 (3) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Layer number dependent optical properties of multilayer hexagonal BN epilayers
Layer number dependent optical properties of multilayer hexagonal BN epilayers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Layer number dependent optical properties of multilayer hexagonal BN epilayers

Du, X. Z. ; Uddin, M. R. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.

Applied physics letters, 2017-02, Vol.110 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de2005  (4)
  2. 2005Até2010  (6)
  3. 2011Até2014  (3)
  4. 2015Até2018  (12)
  5. Após 2018  (2)
  6. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.