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Hybrid quantum systems based on magnonics
Hybrid quantum systems based on magnonics
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Hybrid quantum systems based on magnonics

Lachance-Quirion, Dany ; Tabuchi, Yutaka ; Gloppe, Arnaud ; Usami, Koji ; Nakamura, Yasunobu

Applied physics express, 2019-07, Vol.12 (7), p.70101 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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2
Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers
Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers
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Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers

Guo, Yu ; Zhou, Si ; Bai, Yizhen ; Zhao, Jijun

Applied physics letters, 2017-04, Vol.110 (16) [Periódico revisado por pares]

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High-quality β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth
High-quality β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth
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High-quality β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth

Kuramata, Akito ; Koshi, Kimiyoshi ; Watanabe, Shinya ; Yamaoka, Yu ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Japanese Journal of Applied Physics, 2016-12, Vol.55 (12) [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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4
Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope
Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope
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Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope

Dyck, Ondrej ; Kim, Songkil ; Kalinin, Sergei V. ; Jesse, Stephen

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (11) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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5
Deep-ultraviolet light-emitting diodes with external quantum efficiency higher than 20% at 275 nm achieved by improving light-extraction efficiency
Deep-ultraviolet light-emitting diodes with external quantum efficiency higher than 20% at 275 nm achieved by improving light-extraction efficiency
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Deep-ultraviolet light-emitting diodes with external quantum efficiency higher than 20% at 275 nm achieved by improving light-extraction efficiency

Takano, Takayoshi ; Mino, Takuya ; Sakai, Jun ; Noguchi, Norimichi ; Tsubaki, Kenji ; Hirayama, Hideki

Applied physics express, 2017-03, Vol.10 (3), p.31002 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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6
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
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Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kamimura, Takafumi ; Hoi Wong, Man ; Krishnamurthy, Daivasigamani ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (12) [Periódico revisado por pares]

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7
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
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Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (1) [Periódico revisado por pares]

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8
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
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An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K

Al-Kabi, Sattar ; Ghetmiri, Seyed Amir ; Margetis, Joe ; Pham, Thach ; Zhou, Yiyin ; Dou, Wei ; Collier, Bria ; Quinde, Randy ; Du, Wei ; Mosleh, Aboozar ; Liu, Jifeng ; Sun, Greg ; Soref, Richard A. ; Tolle, John ; Li, Baohua ; Mortazavi, Mansour ; Naseem, Hameed A. ; Yu, Shui-Qing

Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (17) [Periódico revisado por pares]

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9
Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si
Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si
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Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si

Jung, Daehwan ; Herrick, Robert ; Norman, Justin ; Turnlund, Katherine ; Jan, Catherine ; Feng, Kaiyin ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (15) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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10
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
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Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency

Zhang, Yulong ; Luo, Anxin ; Wang, Yifan ; Dai, Xiangtian ; Lu, Yan ; Wang, Fei

Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (5) [Periódico revisado por pares]

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  4. 1997Até2009  (106.591)
  5. Após 2009  (99.539)
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