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Mosfet and MOS Capacitor Responses to Ionizing Radiation
Mosfet and MOS Capacitor Responses to Ionizing Radiation
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Mosfet and MOS Capacitor Responses to Ionizing Radiation

Benedetto, J. M. ; Boesch, H. E.

IEEE transactions on nuclear science, 1984-12, Vol.31 (6), p.1461-1466 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

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2
Correlating the Radiation Response of MOS Capacitors and Transistors
Correlating the Radiation Response of MOS Capacitors and Transistors
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Correlating the Radiation Response of MOS Capacitors and Transistors

Winokur, P. S. ; Schwank, J. R. ; McWhorter, P. J. ; Dressendorfer, P. V. ; Turpin, D. C.

IEEE transactions on nuclear science, 1984-01, Vol.31 (6), p.1453-1460 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
Generation of Oxide Charge and Interface States by Ionizing Radiation and by Tunnel Injection Experiments
Generation of Oxide Charge and Interface States by Ionizing Radiation and by Tunnel Injection Experiments
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Generation of Oxide Charge and Interface States by Ionizing Radiation and by Tunnel Injection Experiments

Knoll, M. ; Braunig, D. ; Fahrner, W. R.

IEEE transactions on nuclear science, 1982-12, Vol.29 (6), p.1471-1478 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
Microstructural Variations in Radiation Hard and Soft Oxides Observed through Electron Spin Resonance
Microstructural Variations in Radiation Hard and Soft Oxides Observed through Electron Spin Resonance
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Microstructural Variations in Radiation Hard and Soft Oxides Observed through Electron Spin Resonance

Lenahan, P. M. ; Dressendorfer, P. V.

IEEE transactions on nuclear science, 1983-01, Vol.30 (6), p.4602-4604 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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5
Physical Mechanisms Contributing to Device "Rebound"
Physical Mechanisms Contributing to Device "Rebound"
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Physical Mechanisms Contributing to Device "Rebound"

Schwank, J. R. ; Winokur, P. S. ; McWhorter, P. J. ; Sexton, F. W. ; Dressendorfer, P. V. ; Turpin, D. C.

IEEE transactions on nuclear science, 1984-01, Vol.31 (6), p.1434-1438 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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6
Radiation Effects on MOS Devices: Dosimetry, Annealing, Irradiation Sequence, and Sources
Radiation Effects on MOS Devices: Dosimetry, Annealing, Irradiation Sequence, and Sources
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Radiation Effects on MOS Devices: Dosimetry, Annealing, Irradiation Sequence, and Sources

Stassinopoulos, E. G. ; Brucker, G. J. ; Van Gunten, O. ; Knudson, A. R. ; Jordan, T. M.

IEEE transactions on nuclear science, 1983-01, Vol.30 (3), p.1880-1884 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

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7
High Power Microwave Generation from a Virtual Cathode Oscillator (Vircator)
High Power Microwave Generation from a Virtual Cathode Oscillator (Vircator)
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High Power Microwave Generation from a Virtual Cathode Oscillator (Vircator)

Sullivan, Donald J.

IEEE transactions on nuclear science, 1983-08, Vol.30 (4), p.3426-3428 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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8
The Gain Characteristics of Microchannel Plates for X-Ray Photon Counting
The Gain Characteristics of Microchannel Plates for X-Ray Photon Counting
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The Gain Characteristics of Microchannel Plates for X-Ray Photon Counting

Fraser, G. W. ; Pearson, J. F. ; Smith, G. C. ; Lewis, M. ; Barstow, M. A.

IEEE transactions on nuclear science, 1983-01, Vol.30 (1), p.455-460 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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9
A distribution function for double-bit upsets
A distribution function for double-bit upsets
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A distribution function for double-bit upsets

Edmonds, L.D.

IEEE transactions on nuclear science, 1989-04, Vol.36 (2), p.1344-1346 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: IEEE

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10
Residual charges effect on the annealing behavior of Co-60 irradiated MOS capacitors
Residual charges effect on the annealing behavior of Co-60 irradiated MOS capacitors
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Residual charges effect on the annealing behavior of Co-60 irradiated MOS capacitors

Hwu, J.-G. ; Lee, G.-S. ; Lee, S.-C. ; Wang, W.-S.

IEEE transactions on nuclear science, 1988-02, Vol.35 (1), p.960-965 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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