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Vacuum-Packaged Suspended Microchannel Resonant Mass Sensor for Biomolecular Detection
Vacuum-Packaged Suspended Microchannel Resonant Mass Sensor for Biomolecular Detection
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Vacuum-Packaged Suspended Microchannel Resonant Mass Sensor for Biomolecular Detection

Burg, T.P. ; Mirza, A.R. ; Milovic, N. ; Tsau, C.H. ; Popescu, G.A. ; Foster, J.S. ; Manalis, S.R.

Journal of microelectromechanical systems, 2006-12, Vol.15 (6), p.1466-1476 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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2
Pattern transfer on a vertical cavity sidewall using SU8
Pattern transfer on a vertical cavity sidewall using SU8
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Pattern transfer on a vertical cavity sidewall using SU8

Verhaar, T M ; Wei, J ; Sarro, P M

Journal of micromechanics and microengineering, 2009-07, Vol.19 (7), p.074018-074018 (6) [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
Correlation-sensitive adaptive sequence detection
Correlation-sensitive adaptive sequence detection
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Correlation-sensitive adaptive sequence detection

Kavcic, A. ; Moura, J.M.F.

IEEE transactions on magnetics, 1998-05, Vol.34 (3), p.763-771

New York, NY: IEEE

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4
External feedback sensitivity of partly gain-coupled DFB semiconductor lasers
External feedback sensitivity of partly gain-coupled DFB semiconductor lasers
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External feedback sensitivity of partly gain-coupled DFB semiconductor lasers

Hui, R. ; Kavehrad, M. ; Makino, T.

IEEE photonics technology letters, 1994-08, Vol.6 (8), p.897-899

New York, NY: IEEE

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5
Bi-Sr-Ca-Cu-O film on sapphire grown by plasma-enhanced halide CVD
Bi-Sr-Ca-Cu-O film on sapphire grown by plasma-enhanced halide CVD
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Bi-Sr-Ca-Cu-O film on sapphire grown by plasma-enhanced halide CVD

Kimura, T. ; Nakao, H. ; Yamawaki, H. ; Ihara, M. ; Ozeki, M.

IEEE Transactions on Magnetics (Institute of Electrical and Electronics Engineers); (United States), 1991-03, Vol.27 (2), p.1211-1214

New York, NY: IEEE

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6
Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates
Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates
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Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates

Persson, Karl-Magnus ; Berg, Martin ; Borg, Mattias B. ; Jun Wu ; Johansson, Sofia ; Svensson, Johannes ; Jansson, Kristofer ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE transactions on electron devices, 2013-09, Vol.60 (9), p.2761-2767 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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7
Mechanical characterization of bulk Sylgard 184 for microfluidics and microengineering
Mechanical characterization of bulk Sylgard 184 for microfluidics and microengineering
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Mechanical characterization of bulk Sylgard 184 for microfluidics and microengineering

Johnston, I D ; McCluskey, D K ; Tan, C K L ; Tracey, M C

Journal of micromechanics and microengineering, 2014-03, Vol.24 (3), p.35017-7 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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8
Novel Attributes of a Dual Material Gate Nanoscale Tunnel Field-Effect Transistor
Novel Attributes of a Dual Material Gate Nanoscale Tunnel Field-Effect Transistor
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Novel Attributes of a Dual Material Gate Nanoscale Tunnel Field-Effect Transistor

Saurabh, S ; Kumar, M J

IEEE transactions on electron devices, 2011-02, Vol.58 (2), p.404-410 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation
An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation
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An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation

Shimeng Yu ; Yi Wu ; Jeyasingh, R. ; Kuzum, D. ; Wong, H. P.

IEEE transactions on electron devices, 2011-08, Vol.58 (8), p.2729-2737 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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10
HTS Pancake Coils Without Turn-to-Turn Insulation
HTS Pancake Coils Without Turn-to-Turn Insulation
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HTS Pancake Coils Without Turn-to-Turn Insulation

Seungyong Hahn ; Dong Keun Park ; Bascunan, J ; Iwasa, Y

IEEE transactions on applied superconductivity, 2011-06, Vol.21 (3), p.1592-1595 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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