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Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm
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Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm

N. C. S. Vieira J Borme; G Machado Junior; F Cerqueira; P. P Freitas; Valtencir Zucolotto; N. M. R Peres; P Alpuim

Journal of Physics: Condensed Matter Bristol : Institute of Physics - IOP v. 28, n. 8, p. 085302-1-085302-9, Feb. 2016

Bristol 2016

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD024648 )(Acessar)

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  1. Borme, J
  2. Alpuim, P
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Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Fotolitografia
  3. Sensores Químicos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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