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1
Native point defects and dangling bonds in α-Al2O3
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Native point defects and dangling bonds in α-Al2O3

Choi, Minseok ; Janotti, Anderson ; Van de Walle, Chris G.

Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (4) [Periódico revisado por pares]

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2
Phase diagram and magnetocaloric effects in aluminum doped MnNiGe alloys
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Phase diagram and magnetocaloric effects in aluminum doped MnNiGe alloys

Quetz, Abdiel ; Samanta, Tapas ; Dubenko, Igor ; Kangas, Michael J. ; Chan, Julia Y. ; Stadler, Shane ; Ali, Naushad

Journal of applied physics, 2013-10, Vol.114 (15) [Periódico revisado por pares]

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3
Interdiffusion of Ni-Al multilayers: A continuum and molecular dynamics study
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Interdiffusion of Ni-Al multilayers: A continuum and molecular dynamics study

Xu, Rong-Guang ; Falk, Michael L. ; Weihs, Timothy P.

Journal of applied physics, 2013-10, Vol.114 (16) [Periódico revisado por pares]

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4
Experimental study on impact-initiated characters of multifunctional energetic structural materials
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Experimental study on impact-initiated characters of multifunctional energetic structural materials

Zhang, X. F. ; Shi, A. S. ; Qiao, L. ; Zhang, J. ; Zhang, Y. G. ; Guan, Z. W.

Journal of applied physics, 2013-02, Vol.113 (8) [Periódico revisado por pares]

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5
The impact of mechanical stress on the degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
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Artigo
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The impact of mechanical stress on the degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Choi, Sukwon ; Heller, Eric ; Dorsey, Donald ; Vetury, Ramakrishna ; Graham, Samuel

Journal of applied physics, 2013-10, Vol.114 (16) [Periódico revisado por pares]

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6
Influence of annealing and Al2O3 properties on the hydrogen-induced passivation of the Si/SiO2 interface
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Influence of annealing and Al2O3 properties on the hydrogen-induced passivation of the Si/SiO2 interface

Dingemans, G. ; Einsele, F. ; Beyer, W. ; van de Sanden, M. C. M. ; Kessels, W. M. M.

Journal of applied physics, 2012-05, Vol.111 (9) [Periódico revisado por pares]

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7
Elastic constants and critical thicknesses of ScGaN and ScAlN
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Elastic constants and critical thicknesses of ScGaN and ScAlN

Zhang, S. ; Fu, W. Y. ; Holec, D. ; Humphreys, C. J. ; Moram, M. A.

Journal of applied physics, 2013-12, Vol.114 (24) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
Forward current transport mechanisms in Ni/Au-AlGaN/GaN Schottky diodes
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Forward current transport mechanisms in Ni/Au-AlGaN/GaN Schottky diodes

Yan, Dawei ; Jiao, Jinping ; Ren, Jian ; Yang, Guofeng ; Gu, Xiaofeng

Journal of applied physics, 2013-10, Vol.114 (14) [Periódico revisado por pares]

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9
Visible photoluminescence from MgAl2O4 spinel with cation disorder and oxygen vacancy
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Visible photoluminescence from MgAl2O4 spinel with cation disorder and oxygen vacancy

Sawai, Shigeto ; Uchino, Takashi

Journal of applied physics, 2012-11, Vol.112 (10) [Periódico revisado por pares]

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10
Thresholds for igniting exothermic reactions in Al/Ni multilayers using pulses of electrical, mechanical, and thermal energy
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Thresholds for igniting exothermic reactions in Al/Ni multilayers using pulses of electrical, mechanical, and thermal energy

Fritz, Gregory M. ; Spey, Stephen J. ; Grapes, Michael D. ; Weihs, Timothy P.

Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (1) [Periódico revisado por pares]

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