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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Condensed Matter: Electronic Structure, Electrical, Magnetic, And Optical Properties remover
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SURFACE SEGREGATION OF IN ATOMS DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND ITS INFLUENCE ON THE ENERGY-LEVELS IN INGAAS/GAAS QUANTUM-WELLS
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SURFACE SEGREGATION OF IN ATOMS DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND ITS INFLUENCE ON THE ENERGY-LEVELS IN INGAAS/GAAS QUANTUM-WELLS

MURAKI, K ; FUKATSU, S ; SHIRAKI, Y ; ITO, R

Applied physics letters, 1992-08, Vol.61 (5), p.557-559 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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Passivation and depassivation of silicon dangling bonds at the Si/SiO2 interface by atomic hydrogen
Passivation and depassivation of silicon dangling bonds at the Si/SiO2 interface by atomic hydrogen
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Passivation and depassivation of silicon dangling bonds at the Si/SiO2 interface by atomic hydrogen

CARTIER, E ; STATHIS, J. H ; BUCHANAN, D. A

Applied physics letters, 1993-09, Vol.63 (11), p.1510-1512 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Light emission in thermally oxidized porous silicon : evidence for oxide-related luminescence
Light emission in thermally oxidized porous silicon : evidence for oxide-related luminescence
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Light emission in thermally oxidized porous silicon : evidence for oxide-related luminescence

PROKES, S. M

Applied physics letters, 1993-06, Vol.62 (25), p.3244-3246 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Optical functions of chemical vapor deposited thin-film silicon determined by spectroscopic ellipsometry
Optical functions of chemical vapor deposited thin-film silicon determined by spectroscopic ellipsometry
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Optical functions of chemical vapor deposited thin-film silicon determined by spectroscopic ellipsometry

JELLISON, G. E ; CHISHOLM, M. F ; GORBATKIN, S. M

Applied physics letters, 1993-06, Vol.62 (25), p.3348-3350 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Bistable saturation in coupled quantum dots for quantum cellular automata
Bistable saturation in coupled quantum dots for quantum cellular automata
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Bistable saturation in coupled quantum dots for quantum cellular automata

LENT, C. S ; TOUGAW, P. D ; POROD, W

Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (7), p.714-716 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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16
Metal contacts to gallium nitride
Metal contacts to gallium nitride
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Metal contacts to gallium nitride

FORESI, J. S ; MOUSTAKAS, T. D

Applied physics letters, 1993-05, Vol.62 (22), p.2859-2861 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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17
Anisotropic critical currents in Ba2YCu3O7 analyzed using an extended Bean model
Anisotropic critical currents in Ba2YCu3O7 analyzed using an extended Bean model
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Anisotropic critical currents in Ba2YCu3O7 analyzed using an extended Bean model

GYORGY, E. M ; VAN DOVER, R. B ; JACKSON, K. A ; SCHNEEMEYER, L. F ; WASZCZAK, J. V

Applied physics letters, 1989-07, Vol.55 (3), p.283-285 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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18
High current density in bulk YBa2Cu3Ox superconductor
High current density in bulk YBa2Cu3Ox superconductor
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High current density in bulk YBa2Cu3Ox superconductor

SALAMA, K ; SELVAMANICKAM, V ; GAO, L ; SUN, K

Applied physics letters, 1989-06, Vol.54 (23), p.2352-2354 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Thermal treatment studies of the photoluminescence intensity of porous silicon
Thermal treatment studies of the photoluminescence intensity of porous silicon
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Thermal treatment studies of the photoluminescence intensity of porous silicon

TSAI, C ; LI, K.-H ; SARATYHY, J ; SHIH, S ; CAMPBELL, J. C ; HANCE, B. K ; WHITE, J. M

Applied physics letters, 1991-11, Vol.59 (22), p.2814-2816 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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Bi-epitaxial grain boundary junctions in YBa2Cu3O7
Bi-epitaxial grain boundary junctions in YBa2Cu3O7
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Bi-epitaxial grain boundary junctions in YBa2Cu3O7

CHAR, K ; COLCLOUGH, M. S ; GARRISON, S. M ; NEWMAN, N ; ZAHARCHUK, G

Applied physics letters, 1991-08, Vol.59 (6), p.733-735 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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