skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Condensed Matter: Electronic Structure, Electrical, Magnetic, And Optical Properties remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
ELECTRONIC-STRUCTURE OF CHIRAL GRAPHENE TUBULES
ELECTRONIC-STRUCTURE OF CHIRAL GRAPHENE TUBULES
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

ELECTRONIC-STRUCTURE OF CHIRAL GRAPHENE TUBULES

SAITO, R ; FUJITA, M ; DRESSELHAUS, G ; DRESSELHAUS, MS

Applied physics letters, 1992-05, Vol.60 (18), p.2204-2206 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure
Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure

CHAHARA, K.-I ; OHNO, T ; KASAI, M ; KOZONO, Y

Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (14), p.1990-1992 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials
Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials

HICKS, L. D ; HARMAN, T. C ; DRESSELHAUS, M. S

Applied physics letters, 1993-12, Vol.63 (23), p.3230-3232 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes
Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes

Brown, E. R. ; Parker, C. D. ; Mahoney, L. J. ; Molvar, K. M. ; Soderstrom, J. R.

Applied physics letters, 1991-05, Vol.58 (20), p.2291-2293 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices
Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices

MAEDA, Y ; TSUKAMOTO, N ; YAZAWA, Y ; KANEMITSU, Y ; MASUMOTO, Y

Applied physics letters, 1991-12, Vol.59 (24), p.3168-3170 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
RAPID-THERMAL-OXIDIZED POROUS SI - THE SUPERIOR PHOTOLUMINESCENT SI
RAPID-THERMAL-OXIDIZED POROUS SI - THE SUPERIOR PHOTOLUMINESCENT SI
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

RAPID-THERMAL-OXIDIZED POROUS SI - THE SUPERIOR PHOTOLUMINESCENT SI

PETROVAKOCH ; MUSCHIK, T ; KUX, A ; MEYER, BK ; KOCH, F ; LEHMANN

Applied physics letters, 1992-08, Vol.61 (8), p.943-945 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Quantum size effects on photoluminescence in ultrafine Si particles
Quantum size effects on photoluminescence in ultrafine Si particles
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Quantum size effects on photoluminescence in ultrafine Si particles

TAKAGI, H ; OGAWA, H ; YAMAZAKI, Y ; ISHIZAKI, A ; NAKAGIRI, T

Applied physics letters, 1990-06, Vol.56 (24), p.2379-2380 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON
VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON

KOSHIDA, N ; KOYAMA, H

Applied physics letters, 1992-01, Vol.60 (3), p.347-349 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
FATIGUE AND RETENTION IN FERROELECTRIC Y-BA-CU-O/PB-ZR-TI-O/Y-BA-CU-O HETEROSTRUCTURES
FATIGUE AND RETENTION IN FERROELECTRIC Y-BA-CU-O/PB-ZR-TI-O/Y-BA-CU-O HETEROSTRUCTURES
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

FATIGUE AND RETENTION IN FERROELECTRIC Y-BA-CU-O/PB-ZR-TI-O/Y-BA-CU-O HETEROSTRUCTURES

RAMESH, R ; CHAN, WK ; WILKENS, B ; GILCHRIST, H ; SANDS, T ; TARASCON, JM ; KERAMIDAS, VG ; FORK, DK ; LEE, J ; SAFARI, A

Applied physics letters, 1992-09, Vol.61 (13), p.1537-1539 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
LUMINESCENCE DEGRADATION IN POROUS SILICON
LUMINESCENCE DEGRADATION IN POROUS SILICON
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

LUMINESCENCE DEGRADATION IN POROUS SILICON

TISCHLER, MA ; COLLINS, RT ; STATHIS, JH ; TSANG, JC

Applied physics letters, 1992-02, Vol.60 (5), p.639-641 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1984  (74)
  2. 1984Até1985  (266)
  3. 1986Até1987  (420)
  4. 1988Até1990  (1.274)
  5. Após 1990  (1.644)
  6. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.