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Predictions of weld pool profiles using plasma physics
Predictions of weld pool profiles using plasma physics
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Predictions of weld pool profiles using plasma physics

Tanaka, M ; Lowke, J J

Journal of physics. D, Applied physics, 2007-01, Vol.40 (1), p.R1-R23 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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2
'LTE-diffusion approximation' for arc calculations
'LTE-diffusion approximation' for arc calculations
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'LTE-diffusion approximation' for arc calculations

Lowke, J J ; Tanaka, M

Journal of physics. D, Applied physics, 2006-08, Vol.39 (16), p.3634-3643 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
A computational investigation of the effectiveness of different shielding gas mixtures for arc welding
A computational investigation of the effectiveness of different shielding gas mixtures for arc welding
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A computational investigation of the effectiveness of different shielding gas mixtures for arc welding

Murphy, A B ; Tanaka, M ; Tashiro, S ; Sato, T ; Lowke, J J

Journal of physics. D, Applied physics, 2009-06, Vol.42 (11), p.115205-115205 (14) [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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4
Residual stress measurement of an EB-PVD Y2O3-ZrO2 thermal barrier coating by micro-Raman spectroscopy
Residual stress measurement of an EB-PVD Y2O3-ZrO2 thermal barrier coating by micro-Raman spectroscopy
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Residual stress measurement of an EB-PVD Y2O3-ZrO2 thermal barrier coating by micro-Raman spectroscopy

TANAKA, M ; KITAZAWA, R ; TOMIMATSU, T ; LIU, Y. F ; KAGAWA, Y

Surface & coatings technology, 2009-12, Vol.204 (5), p.657-660 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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5
Low-Energy Consumption RSFQ Circuits Driven by Low Voltages
Low-Energy Consumption RSFQ Circuits Driven by Low Voltages
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Low-Energy Consumption RSFQ Circuits Driven by Low Voltages

Tanaka, M. ; Kitayama, A. ; Koketsu, T. ; Ito, M. ; Fujimaki, A.

IEEE transactions on applied superconductivity, 2013-06, Vol.23 (3), p.1701104-1701104 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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6
Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(001) surfaces
Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(001) surfaces
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Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(001) surfaces

Hiraga, K. ; Toyoshima, H. ; Tanaka, H. ; Inoue, K. ; Ohno, S. ; Mukai, K. ; Yoshinobu, J. ; Tanaka, M.

Applied surface science, 2014-07, Vol.307, p.520-524 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Giant growth of single crystalline Ge on insulator by seeding lateral liquid-phase epitaxy
Giant growth of single crystalline Ge on insulator by seeding lateral liquid-phase epitaxy
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Giant growth of single crystalline Ge on insulator by seeding lateral liquid-phase epitaxy

Tanaka, T. ; Tanaka, M. ; Itakura, M. ; Sadoh, T. ; Miyao, M.

Thin solid films, 2010, Vol.518 (6), p.S170-S173 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Mechanisms giving increased weld depth due to a flux
Mechanisms giving increased weld depth due to a flux
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mechanisms giving increased weld depth due to a flux

Lowke, J J ; Tanaka, M ; Ushio, M

Journal of physics. D, Applied physics, 2005-09, Vol.38 (18), p.3438-3445 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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9
Correlation between microstructure and barrier properties of TiN thin films used Cu interconnects
Correlation between microstructure and barrier properties of TiN thin films used Cu interconnects
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Correlation between microstructure and barrier properties of TiN thin films used Cu interconnects

Moriyama, M ; Kawazoe, T ; Tanaka, M ; Murakami, M

Thin solid films, 2002-09, Vol.416 (1), p.136-144 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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10
Preparation and thermoelectric properties of BP films on SOI and sapphire substrates
Preparation and thermoelectric properties of BP films on SOI and sapphire substrates
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Preparation and thermoelectric properties of BP films on SOI and sapphire substrates

Kumashiro, Y. ; Nakamura, K. ; Enomoto, T. ; Tanaka, M.

Journal of materials science. Materials in electronics, 2011-08, Vol.22 (8), p.966-973 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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