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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: X-Ray Diffraction remover
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Ordered domain lateral location, symmetry, and thermal stability in Ge:Si islands
Ordered domain lateral location, symmetry, and thermal stability in Ge:Si islands
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Ordered domain lateral location, symmetry, and thermal stability in Ge:Si islands

Richard, M.-I. ; Malachias, A. ; Schülli, T. U. ; Favre-Nicolin, V. ; Zhong, Z. ; Metzger, T. H. ; Renaud, G.

Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Direct evidence of strain transfer for InAs island growth on compliant Si substrates
Direct evidence of strain transfer for InAs island growth on compliant Si substrates
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Direct evidence of strain transfer for InAs island growth on compliant Si substrates

Marçal, L. A. B. ; Richard, M.-I. ; Magalhães-Paniago, R. ; Cavallo, F. ; Lagally, M. G. ; Schmidt, O. G. ; Schülli, T. Ü. ; Deneke, Ch ; Malachias, Angelo

Applied physics letters, 2015-04, Vol.106 (15) [Periódico revisado por pares]

United States

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