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(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties
(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties
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(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties

Yang, Haibo ; Dai, Jingjing ; Liu, Xiao ; Lin, Ying ; Wang, Fen

Materials letters, 2018-02, Vol.212, p.275 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier BV

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2
(006)-oriented α-Al2O3 films prepared in CO2–H2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser
(006)-oriented α-Al2O3 films prepared in CO2–H2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser
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(006)-oriented α-Al2O3 films prepared in CO2–H2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser

You, Yu ; Ito, Akihiko ; Tu, Rong ; Goto, Takashi

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2011-08, Vol.176 (13), p.984-989 [Periódico revisado por pares]

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3
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements

Henke, Burton L. ; Smith, Jerel A. ; Attwood, David T.

Journal of applied physics, 1977-05, Vol.48 (5), p.1852-1866 [Periódico revisado por pares]

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4
0.1-10 MeV Neutron Soft Error Rate in Accelerator and Atmospheric Environments
0.1-10 MeV Neutron Soft Error Rate in Accelerator and Atmospheric Environments
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0.1-10 MeV Neutron Soft Error Rate in Accelerator and Atmospheric Environments

Cecchetto, Matteo ; Alia, Ruben Garcia ; Wrobel, Frederic ; Coronetti, Andrea ; Bilko, Kacper ; Lucsanyi, David ; Fiore, Salvatore ; Bazzano, Giulia ; Pirovano, Elisa ; Nolte, Ralf

IEEE transactions on nuclear science, 2021-05, Vol.68 (5), p.873-883 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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5
0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s
0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s
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0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s

Chao, P C ; Tiberio, R C ; Duh, K-H G ; Smith, P M ; Ballingall, J M ; Lester, L F ; Lee, B R ; Jabra, A ; Gifford, G G

IEEE electron device letters, 1987-10, Vol.8 (10), p.489-491 [Periódico revisado por pares]

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6
0.1-mu m T-gate Al-free InP/InGaAs/InP pHEMTs for W-bandapplications using a nitrogen carrier for LP-MOCVD growth
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0.1-mu m T-gate Al-free InP/InGaAs/InP pHEMTs for W-bandapplications using a nitrogen carrier for LP-MOCVD growth

Schimpf, K ; Sommer, M ; Horstmann, M ; Hollfelder, M ; van der Hart, A ; Marso, M ; Kordos, P ; Luth, H

IEEE electron device letters, 1997-04, Vol.18 (4), p.144-146 [Periódico revisado por pares]

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7
0.12-μm gate III-V nitride HFET's with high contact resistances
0.12-μm gate III-V nitride HFET's with high contact resistances
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0.12-μm gate III-V nitride HFET's with high contact resistances

Burm, J. ; Chu, K. ; Schaff, W.J. ; Eastman, L.F. ; Khan, M.A. ; Qisheng Chen ; Yang, J.W. ; Shur, M.S.

IEEE electron device letters, 1997-04, Vol.18 (4), p.141-143 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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8
0.13-mu m 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficientredundancy and enhanced testability
0.13-mu m 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficientredundancy and enhanced testability
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0.13-mu m 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficientredundancy and enhanced testability

Kikukawa, H ; Tomishima, S ; Tsuji, T ; Kawasaki, T ; Sakamoto, S ; Ishikawa, M ; Abe, W ; Tanizaki, H ; Kato, H ; Uchikoba, T ; Inokuchi, T ; Senoh, M ; Fukushima, Y ; Nirro, M ; Maruta, M ; Shibayama, A ; Ooishi, T ; Takahashi, K ; Hidaka, H

IEEE journal of solid-state circuits, 2002-07, Vol.37 (7), p.932-940 [Periódico revisado por pares]

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9
0.15 mu m passivated InP-based HEMT MMIC technology with highthermal stability in hydrogen ambient
0.15 mu m passivated InP-based HEMT MMIC technology with highthermal stability in hydrogen ambient
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0.15 mu m passivated InP-based HEMT MMIC technology with highthermal stability in hydrogen ambient

Chertouk, M ; Dammann, M ; Kohler, K ; Weimann, G

IEEE electron device letters, 2000-03, Vol.21 (3), p.97-99 [Periódico revisado por pares]

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10
0.18 mum CMOS programmable frequency divider design for DVB-T
0.18 mum CMOS programmable frequency divider design for DVB-T
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0.18 mum CMOS programmable frequency divider design for DVB-T

Hu, Qingsheng ; Zhong, Jianfeng ; He, Xiaohu

Dong nan da xue xue bao, 2008-06, Vol.24 (2), p.159-162

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