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Electronic states and Landau levels in graphene stacks
Electronic states and Landau levels in graphene stacks
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Electronic states and Landau levels in graphene stacks

Guinea, F. ; Castro Neto, A. H. ; Peres, N. M. R.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2006-06, Vol.73 (24), Article 245426 [Periódico revisado por pares]

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Complete light absorption in graphene-metamaterial corrugated structures
Complete light absorption in graphene-metamaterial corrugated structures
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Complete light absorption in graphene-metamaterial corrugated structures

Ferreira, Aires ; Peres, N. M. R.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2012-11, Vol.86 (20), Article 205401 [Periódico revisado por pares]

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Electronic transport across linear defects in graphene
Electronic transport across linear defects in graphene
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Electronic transport across linear defects in graphene

Páez, C. J. ; Pereira, A. L. C. ; Rodrigues, J. N. B. ; Peres, N. M. R.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2015-07, Vol.92 (4), Article 045426 [Periódico revisado por pares]

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Electron Tunneling through Ultrathin Boron Nitride Crystalline Barriers
Electron Tunneling through Ultrathin Boron Nitride Crystalline Barriers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electron Tunneling through Ultrathin Boron Nitride Crystalline Barriers

Britnell, Liam ; Gorbachev, Roman V ; Jalil, Rashid ; Belle, Branson D ; Schedin, Fred ; Katsnelson, Mikhail I ; Eaves, Laurence ; Morozov, Sergey V ; Mayorov, Alexander S ; Peres, Nuno M. R ; Castro Neto, Antonio H ; Leist, Jon ; Geim, Andre K ; Ponomarenko, Leonid A ; Novoselov, Kostya S

Nano letters, 2012-03, Vol.12 (3), p.1707-1710 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures
Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures
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Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures

Britnell, L. ; Gorbachev, R. V. ; Jalil, R. ; Belle, B. D. ; Schedin, F. ; Mishchenko, A. ; Georgiou, T. ; Katsnelson, M. I. ; Eaves, L. ; Morozov, S. V. ; Peres, N. M. R. ; Leist, J. ; Geim, A. K. ; Novoselov, K. S. ; Ponomarenko, L. A.

Science (American Association for the Advancement of Science), 2012-02, Vol.335 (6071), p.947-950 [Periódico revisado por pares]

United States: American Association for the Advancement of Science

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Near-Unity Light Absorption in a Monolayer WS2 Van der Waals Heterostructure Cavity
Near-Unity Light Absorption in a Monolayer WS2 Van der Waals Heterostructure Cavity
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Near-Unity Light Absorption in a Monolayer WS2 Van der Waals Heterostructure Cavity

Epstein, Itai ; Terrés, Bernat ; Chaves, André J ; Pusapati, Varun-Varma ; Rhodes, Daniel A ; Frank, Bettina ; Zimmermann, Valentin ; Qin, Ying ; Watanabe, Kenji ; Taniguchi, Takashi ; Giessen, Harald ; Tongay, Sefaattin ; Hone, James C ; Peres, Nuno M. R ; Koppens, Frank H. L

Nano letters, 2020-05, Vol.20 (5), p.3545-3552 [Periódico revisado por pares]

American Chemical Society

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Optical conductivity of graphene in the visible region of the spectrum
Optical conductivity of graphene in the visible region of the spectrum
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Optical conductivity of graphene in the visible region of the spectrum

Stauber, T. ; Peres, N. M. R. ; Geim, A. K.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2008-08, Vol.78 (8), Article 085432 [Periódico revisado por pares]

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Stability of boron nitride bilayers: Ground-state energies, interlayer distances, and tight-binding description
Stability of boron nitride bilayers: Ground-state energies, interlayer distances, and tight-binding description
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Stability of boron nitride bilayers: Ground-state energies, interlayer distances, and tight-binding description

Ribeiro, R. M. ; Peres, N. M. R.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2011-06, Vol.83 (23), Article 235312

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9
Electronic transport in graphene: A semiclassical approach including midgap states
Electronic transport in graphene: A semiclassical approach including midgap states
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Electronic transport in graphene: A semiclassical approach including midgap states

Stauber, T. ; Peres, N. M. R. ; Guinea, F.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2007-11, Vol.76 (20), Article 205423

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10
Tight-binding approach to uniaxial strain in graphene
Tight-binding approach to uniaxial strain in graphene
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Tight-binding approach to uniaxial strain in graphene

Pereira, Vitor M. ; Castro Neto, A. H. ; Peres, N. M. R.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2009-07, Vol.80 (4), Article 045401 [Periódico revisado por pares]

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