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11
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

João Antonio Martino 1959- Marcelo Antonio Pavanello; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)

P T Hoashi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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Efeitos da radiacao em capacitores mos
Efeitos da radiacao em capacitores mos
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeitos da radiacao em capacitores mos

V L M Nakata João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; E A Gutierrez; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface
Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface

João Antonio Martino 1959- Eddy Simoen; Antônio Luís Pacheco Rotondaro; Ulf Magnusson; Cor Claeys; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (8. 1993 Campinas)

Anais Campinas : Sbmicro, 1993

Campinas Sbmicro 1993

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Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos
Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos

G W F Kimura Victor Sonnenberg; João Antonio Martino 1959-; Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica (2. 1995 Curitiba)

Anais Curitiba : Copel, 1995

Curitiba Copel 1995

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Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE

L M Camillo João Antonio Martino 1959-; Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (5. 1997 São Paulo)

Resumos São Paulo : USP, 1997

São Paulo USP 1997

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Simoen, E
  3. Agopian, P
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Transistores
  3. Microeletrônica
  4. Circuitos Integrados
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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