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Refinado por: assunto: Semicondutores remover assunto: Transistores remover
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1
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-02-10

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2
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

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3
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-08-11

Acesso online

4
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Sivieri, Victor De Bodt

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-02-26

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5
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

Santos, Carolina Davanzzo Gomes Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-10-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.

Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2007-08-10

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7
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.

Nascimento, Vinicius Mesquita Do

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-17

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8
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Cross-section features influence on surrounding MuGFETs

Márcio Dalla Valle Martino Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 91-98, 2010

New Jersey 2010

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9
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Cross-section features influence on surrounding MuGFETs

Márcio Dalla Valle Martino Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 91-98, 2010

New Jersey 2010

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10
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices

Maria Glória Caño de Andrade João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 67-74, 2010

New Jersey 2010

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Simoen, E
  4. Peralagu, U
  5. Collaert, N

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Semicondutores
  3. Microeletrônica
  4. Tecnologia Soi
  5. Microelectronics

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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