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1
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-02-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-08-11

Acesso online

4
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Sivieri, Victor De Bodt

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-02-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

Santos, Carolina Davanzzo Gomes Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-10-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.

Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2007-08-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

7
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.

Nascimento, Vinicius Mesquita Do

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

8
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)

J Bertini João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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9
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

10
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Simoen, E
  3. Agopian, P
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Transistores
  3. Microeletrônica
  4. Circuitos Integrados
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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