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Ferroelectric thin films basic properties and device physics for memory applications
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Ferroelectric thin films basic properties and device physics for memory applications

Masanori Okuyama 1946; Yoshihiro Ishibashi

Berlin Springer New York c2005

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (530 T674 v.98 )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Okuyama, M
  2. Ishibashi, Y

Neste Assunto:

  1. Electricity
  2. Electronics
  3. Computer Storage Devices
  4. Thin Films
  5. Física

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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