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Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond

H W L Alves J. R Leite (José Roberto); J L A Alves

Hipolito, O; Marques, G E (*); Fazzio, A, Eds Singapore : World Scientific, 1988 Current Topics on Semiconductor Physics

Singapore World Scientific 1988

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2
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Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy

A Dal Pino Junior E C F Silva; J. R Leite (José Roberto)

Hipolito, O; Marques, G E (*); Fazzio, A, Eds Singapore : World Scientific, 1988 Current Topics on Semiconductor Physics

Singapore World Scientific 1988

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3
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Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon

L. V. C. Assali (Lucy Vitória Credidio) J. R Leite (José Roberto)

Hipolito, O; Marques, G E (*); Fazzio, A, Eds Singapore : World Scientific, 1988 Current Topics on Semiconductor Physics

Singapore World Scientific 1988

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  1. Leite, J
  2. Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores
  3. Assali, L
  4. Alves, J
  5. Dal Pino Junior, A

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