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Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures
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Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures

Rodrigues, S C P ; Sipahi, G M ; Scolfaro, L M R ; Leite, J R

Journal of physics. Condensed matter, 2002-06, Vol.14 (23), p.5813-5827, Article 312 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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12
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
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Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M.

Journal of crystal growth, 2002-12, Vol.246 (3), p.347-354 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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13
Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende AlxGa1-xN/GaN superlattices
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Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende AlxGa1-xN/GaN superlattices

Rodrigues, S C P ; Sipahi, G M ; Scolfaro, L M R ; Leite, J R

Journal of physics. Condensed matter, 2001-04, Vol.13 (14), p.3381-3387 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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14
Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices
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Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices

Faria Junior, P. E. ; Campos, T. ; Sipahi, G. M.

Journal of applied physics, 2014-11, Vol.116 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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15
Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs∕GaAs multilayers
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Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs∕GaAs multilayers

Sipahi, G. M. ; Rodrigues, S. C. P. ; Scolfaro, L. M. R. ; da Cunha Lima, I. C.

Applied physics letters, 2004-12, Vol.85 (25), p.6209-6211 [Periódico revisado por pares]

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16
Parameters of the Kane Model from Effective Masses: Ambiguities and Instabilities
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Parameters of the Kane Model from Effective Masses: Ambiguities and Instabilities

Enderlein, R. ; Sipahi, G. M. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R.

Physica status solidi. B. Basic research, 1998-04, Vol.206 (2), p.623-633 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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17
Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices
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Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices

Rodrigues, S. C. P. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R. ; Sipahi, G. M.

Applied physics letters, 2000-02, Vol.76 (8), p.1015-1017 [Periódico revisado por pares]

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18
Density Functional Theory for Holes in Semiconductors
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Density Functional Theory for Holes in Semiconductors

Enderlein, R. ; Sipahi, G. M. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R.

Physical review letters, 1997-11, Vol.79 (19), p.3712-3715 [Periódico revisado por pares]

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19
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon
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Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon

Rosa, A.L ; Scolfaro, L.M.R ; Sipahi, G.M ; Enderlein, R ; Leite, J.R

Microelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.489-496 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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20
Inter- and Intraband Transitions in Cubic Nitride Quantum Wells
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Inter- and Intraband Transitions in Cubic Nitride Quantum Wells

Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; Noriega, O.C. ; Leite, J.R. ; Frey, T. ; As, D.J. ; Schikora, D. ; Lischka, K.

Physica status solidi. A, Applied research, 2002-03, Vol.190 (1), p.121-127

Berlin: WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH

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