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Material Type: Artigo
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Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructuresRodrigues, S C P ; Sipahi, G M ; Scolfaro, L M R ; Leite, J RJournal of physics. Condensed matter, 2002-06, Vol.14 (23), p.5813-5827, Article 312 [Periódico revisado por pares]Bristol: IOP PublishingTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wellsRodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M.Journal of crystal growth, 2002-12, Vol.246 (3), p.347-354 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende AlxGa1-xN/GaN superlatticesRodrigues, S C P ; Sipahi, G M ; Scolfaro, L M R ; Leite, J RJournal of physics. Condensed matter, 2001-04, Vol.13 (14), p.3381-3387 [Periódico revisado por pares]Bristol: IOP PublishingTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Interband polarized absorption in InP polytypic superlatticesFaria Junior, P. E. ; Campos, T. ; Sipahi, G. M.Journal of applied physics, 2014-11, Vol.116 (19) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs∕GaAs multilayersSipahi, G. M. ; Rodrigues, S. C. P. ; Scolfaro, L. M. R. ; da Cunha Lima, I. C.Applied physics letters, 2004-12, Vol.85 (25), p.6209-6211 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Parameters of the Kane Model from Effective Masses: Ambiguities and InstabilitiesEnderlein, R. ; Sipahi, G. M. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R.Physica status solidi. B. Basic research, 1998-04, Vol.206 (2), p.623-633 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlatticesRodrigues, S. C. P. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R. ; Sipahi, G. M.Applied physics letters, 2000-02, Vol.76 (8), p.1015-1017 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Density Functional Theory for Holes in SemiconductorsEnderlein, R. ; Sipahi, G. M. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R.Physical review letters, 1997-11, Vol.79 (19), p.3712-3715 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in siliconRosa, A.L ; Scolfaro, L.M.R ; Sipahi, G.M ; Enderlein, R ; Leite, J.RMicroelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.489-496 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Inter- and Intraband Transitions in Cubic Nitride Quantum WellsRodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; Noriega, O.C. ; Leite, J.R. ; Frey, T. ; As, D.J. ; Schikora, D. ; Lischka, K.Physica status solidi. A, Applied research, 2002-03, Vol.190 (1), p.121-127Berlin: WILEY-VCH Verlag Berlin GmbHTexto completo disponível |