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Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction
Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction
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Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction

Wieneke, Matthias ; Bläsing, Jürgen ; Dadgar, Armin ; Veit, Peter ; Metzner, Sebastian ; Bertram, Frank ; Christen, Jürgen ; Krost, Alois

Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S498-S501 [Periódico revisado por pares]

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Mechanism of thermal degradation in GaInN/GaN quantum wells
Mechanism of thermal degradation in GaInN/GaN quantum wells
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Mechanism of thermal degradation in GaInN/GaN quantum wells

Bremers, H. ; Jönen, H. ; Hoffmann, L. ; Rossow, U. ; Hangleiter, A.

Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S594-S597 [Periódico revisado por pares]

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The effect of deuterium and tritium on formation and annealing of vacancy-type defects in deformed nickel
The effect of deuterium and tritium on formation and annealing of vacancy-type defects in deformed nickel
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The effect of deuterium and tritium on formation and annealing of vacancy-type defects in deformed nickel

Druzhkov, A. P. ; Arbuzov, V. L. ; Danilov, S. E.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2008-07, Vol.205 (7), p.1546-1551 [Periódico revisado por pares]

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Quantitative imaging of residual strain profile in large diameter GaAs substrates
Quantitative imaging of residual strain profile in large diameter GaAs substrates
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Quantitative imaging of residual strain profile in large diameter GaAs substrates

Fukuzawa, M. ; Yamada, M.

Physica status solidi. C, 2008-07, Vol.5 (9), p.2941-2943 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Misfit dislocations and surface morphology of InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOVPE
Misfit dislocations and surface morphology of InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOVPE
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Misfit dislocations and surface morphology of InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOVPE

Gelczuk, Łukasz ; Dąbrowska-Szata, Maria ; Masalska, Agata ; Łusakowska, Elżbieta ; Dłużewski, Piotr

Physica status solidi. C, 2009-08, Vol.6 (8), p.1918-1921 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Enlargement of bulk non-polar GaN substrates by HVPE regrowth
Enlargement of bulk non-polar GaN substrates by HVPE regrowth
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Enlargement of bulk non-polar GaN substrates by HVPE regrowth

Lai, K. Y. ; Wheeler, V. D. ; Grenko, J. A. ; Johnson, M. A. L. ; Hanser, A. D. ; Preble, E. A. ; Liu, L. ; Paskova, T. ; Evans, K. R.

Physica status solidi. C, 2008-05, Vol.5 (6), p.1886-1888 [Periódico revisado por pares]

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Optical and electronic properties of GaInNP alloys - a new material system for lattice matching to GaAs
Optical and electronic properties of GaInNP alloys - a new material system for lattice matching to GaAs
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Optical and electronic properties of GaInNP alloys - a new material system for lattice matching to GaAs

Buyanova, I. A. ; Chen, W. M. ; Tu, C. W.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2008-01, Vol.205 (1), p.101-106 [Periódico revisado por pares]

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Anelasticity correlated to vacancies in B2 Fe-Al alloys
Anelasticity correlated to vacancies in B2 Fe-Al alloys
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Anelasticity correlated to vacancies in B2 Fe-Al alloys

Wu, J. ; Han, F. S. ; Gao, Z. Y. ; Hao, G. L. ; Wang, Q. Z.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2006-02, Vol.203 (3), p.485-492 [Periódico revisado por pares]

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In-depth analysis of defects of an insulating sample by cathodoluminescence
In-depth analysis of defects of an insulating sample by cathodoluminescence
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In-depth analysis of defects of an insulating sample by cathodoluminescence

Renoud, R. ; Papin, F. ; Ganachaud, J.-P. ; Bigarré, J.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2006-02, Vol.203 (3), p.591-599 [Periódico revisado por pares]

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