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Refinado por: assunto: Defects And Impurities In Crystals; Microstructure remover
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Study of dislocations in CdZnTe single crystals
Study of dislocations in CdZnTe single crystals
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Study of dislocations in CdZnTe single crystals

Zha, Gangqiang ; Jie, Wanqi ; Tan, Tingting ; Wang, Linghang

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2007-07, Vol.204 (7), p.2196-2200 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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2
Combined double- and triple-crystal X-ray diffractometry with account for real defect structures in all crystals of X-ray optical schemes
Combined double- and triple-crystal X-ray diffractometry with account for real defect structures in all crystals of X-ray optical schemes
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Combined double- and triple-crystal X-ray diffractometry with account for real defect structures in all crystals of X-ray optical schemes

Shpak, A. P. ; Molodkin, V. B. ; Olikhovskii, S. I. ; Kyslovskyy, Ye. M. ; Reshetnyk, O. V. ; Vladimirova, T. P. ; Len, E. G. ; Nizkova, A. I. ; Venger, V. M. ; Dmitriev, S. V.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2007-08, Vol.204 (8), p.2651-2656 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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3
Strain of single edge dislocations in bulk GaN
Strain of single edge dislocations in bulk GaN
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Strain of single edge dislocations in bulk GaN

Gmeinwieser, Nikolaus ; Schwarz, Ulrich T.

Physica Status Solidi (b), 2007-06, Vol.244 (6), p.1857-1861 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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4
Micro-Raman study of strain fields around dislocations in GaAs
Micro-Raman study of strain fields around dislocations in GaAs
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Micro-Raman study of strain fields around dislocations in GaAs

Irmer, G. ; Jurisch, M.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2007-07, Vol.204 (7), p.2309-n/a [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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5
A new concept for the calculation of the mobile dislocation density in constitutive models of strain hardening
A new concept for the calculation of the mobile dislocation density in constitutive models of strain hardening
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A new concept for the calculation of the mobile dislocation density in constitutive models of strain hardening

Roters, F.

Physica Status Solidi (b), 2003-11, Vol.240 (1), p.68-74 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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6
Dislocation indentation size effect in KCl single crystals
Dislocation indentation size effect in KCl single crystals
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Dislocation indentation size effect in KCl single crystals

Soifer, Ya. M. ; Verdyan, A.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2005-10, Vol.202 (13), p.2454-2461 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Slip Geometry and Plastic Anisotropy of Body-Centered Cubic Metals
Slip Geometry and Plastic Anisotropy of Body-Centered Cubic Metals
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Slip Geometry and Plastic Anisotropy of Body-Centered Cubic Metals

Pichl, W.

Physica status solidi. A, Applied research, 2002-01, Vol.189 (1), p.5-25 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH

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Application of orthodox defect-selective etching for studying GaN single crystals, epitaxial layers and device structures
Application of orthodox defect-selective etching for studying GaN single crystals, epitaxial layers and device structures
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Application of orthodox defect-selective etching for studying GaN single crystals, epitaxial layers and device structures

Kamler, G. ; Borysiuk, J. ; Weyher, J. L. ; Presz, A. ; Woźniak, M. ; Grzegory, I.

EPJ. Applied physics (Print), 2004-07, Vol.27 (1-3), p.247-249 [Periódico revisado por pares]

Les Ulis: EDP Sciences

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9
Ultrasonically stimulated temperature rise around dislocation: extended defect mapping and imaging
Ultrasonically stimulated temperature rise around dislocation: extended defect mapping and imaging
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Ultrasonically stimulated temperature rise around dislocation: extended defect mapping and imaging

Savkina, R. K. ; Smirnov, A. B. ; Tetyorkin, V. V. ; Krolevec, N. M.

EPJ. Applied physics (Print), 2004-07, Vol.27 (1-3), p.375-377 [Periódico revisado por pares]

Les Ulis: EDP Sciences

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10
Non-destructive optical methods for assessing defects in production of Si or SiGe materials
Non-destructive optical methods for assessing defects in production of Si or SiGe materials
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Non-destructive optical methods for assessing defects in production of Si or SiGe materials

Higgs, V. ; Laurent, N. ; Fellous, C. ; Dutarte, D.

EPJ. Applied physics (Print), 2004-07, Vol.27 (1-3), p.43-48 [Periódico revisado por pares]

Les Ulis: EDP Sciences

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