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Material Type: Artigo
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Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffractionWieneke, Matthias ; Bläsing, Jürgen ; Dadgar, Armin ; Veit, Peter ; Metzner, Sebastian ; Bertram, Frank ; Christen, Jürgen ; Krost, AloisPhysica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S498-S501 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Strain engineering of AlGaN-GaN HFETs grown on 3 inch 4H-SiCBrunner, Frank ; Reentilä, Outi ; Würfl, Joachim ; Weyers, MarkusPhysica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S1065-S1068 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
3 |
Material Type: Artigo
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Mechanism of thermal degradation in GaInN/GaN quantum wellsBremers, H. ; Jönen, H. ; Hoffmann, L. ; Rossow, U. ; Hangleiter, A.Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S594-S597 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
4 |
Material Type: Artigo
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Quantitative imaging of residual strain profile in large diameter GaAs substratesFukuzawa, M. ; Yamada, M.Physica status solidi. C, 2008-07, Vol.5 (9), p.2941-2943 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
5 |
Material Type: Artigo
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Epitaxial strain energy measurements of GaN on sapphire by Raman spectroscopyPark, H. J. ; Park, C. ; Yeo, S. ; Kang, S.W. ; Mastro, M. ; Kryliouk, O. ; Anderson, T. J.Physica status solidi. C, 2005-05, Vol.2 (7), p.2446-2449 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
6 |
Material Type: Artigo
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Influence of laser shock waves on As implanted HgCdTeYakovyna, V. ; Berchenko, N. ; Kuzma, M. ; Vlasov, A.Physica status solidi. C, 2007-04, Vol.4 (4), p.1570-1573 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
7 |
Material Type: Artigo
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Narrow high-energy emission lines in high-resolution near-field spectroscopy on GaInN/GaN quantum wellsHitzel, F. ; Klewer, G. ; Lahmann, S. ; Rossow, U. ; Hangleiter, A.Physica status solidi. C, 2004-09, Vol.1 (10), p.2520-2523 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
8 |
Material Type: Artigo
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Photoelectric properties of highly excited ZnTe:V(Al, Sc) bulk crystalsKadys, Arunas ; Jarasiunas, Kestutis ; Sudzius, Markas ; Gudelis, Vytautas ; Aleksiejunas, Ramunas ; Launay, Jean-ClaudePhysica status solidi. C, 2005-01, Vol.2 (4), p.1389-1392 [Periódico revisado por pares]Weinheim: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Optical study of gallium and nitrogen polarity layers of GaN grown on sapphireCros, A. ; Joshi, N. V. ; Smith, T. ; Cantarero, A. ; Martínez-Criado, G. ; Ambacher, O. ; Stutzmann, M.Physica status solidi. C, 2003-12 (7), p.2699-2702 [Periódico revisado por pares]Berlin: WILEY-VCH VerlagTexto completo disponível |