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Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato
Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato

Ely Antonio Tadeu Dirani Adnei Melges de Andrade 1943-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (7. 1992 São Paulo)

Anais São Paulo : SBMICRO/EPUSP, 1992

São Paulo SBMICRO/EPUSP 1992

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2
Characterization of highly conductive phosphorous doped Mc-Si films
Characterization of highly conductive phosphorous doped Mc-Si films
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterization of highly conductive phosphorous doped Mc-Si films

Ely Antonio Tadeu Dirani Adnei Melges de Andrade 1943-; Inés Pereyra 1947-; Photovoltaic Solar Energy Conference (10. 1991 Lisboa)

Proceedings Dordrecht : Kluwer Academic, 1991

Dordrecht Kluwer Academic 1991

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3
Improved conductivity in n-type microcrystalline silicon
Improved conductivity in n-type microcrystalline silicon
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved conductivity in n-type microcrystalline silicon

Ely Antonio Tadeu Dirani Adnei Melges de Andrade 1943-; Workshop on Crystalline and Amorphous Silicon and its Alloys (1992 Campinas)

Proceedings Campinas : UNICAMP, 1992

Campinas UNICAMP 1992

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4
Low temperature PECVD deposited amorphous and microcrystalline silicon films
Low temperature PECVD deposited amorphous and microcrystalline silicon films
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Low temperature PECVD deposited amorphous and microcrystalline silicon films

Ely Antonio Tadeu Dirani Adnei Melges de Andrade 1943-; Fernando Josepetti Fonseca 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (14. 1999 Campinas)

ICMP 99 : technical digest São Paulo : SBMicro, 1999

São Paulo SBMicro 1999

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5
Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica
Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica

Fernando Josepetti Fonseca 1959- Ely Antonio Tadeu Dirani; Carlos Alberto Sassaki; Adnei Melges de Andrade 1943-; A Takahashi; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (19. 1996 Águas de Lindóia, SP)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1996

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1996

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6
Injecting contacts for a Si:H thin film transistors
Injecting contacts for a Si:H thin film transistors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Injecting contacts for a Si:H thin film transistors

Fernando Josepetti Fonseca 1959- Ely Antonio Tadeu Dirani; Adnei Melges de Andrade 1943-; A. G Takahashi; Carlos Alberto Sassaki; Mário Sabro Sanematsu; Seminário Iberoamericano em Tecnologia de Mostradores de Cristal Líquido (2. 1996 Lisboa)

Resumos Campinas : IM/CTI, 1996

Campinas IM/CTI 1996

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7
Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature
Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature

Alexandre Mantovani Nardes Ely Antonio Tadeu Dirani; Adnei Melges de Andrade 1943-; Fernando Josepetti Fonseca 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 (17th 2002 Porto Alegre, RS)

Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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8
Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação
Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação
Material Type:
Relatório Técnico 		Adicionar ao Meu Espaço

Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação

W Pinheiro J. J. S Oliveira; R. B. L Oliveira; L. E Caron; E E Nachvalger; Adnei Melges de Andrade 1943-; Fernando Josepetti Fonseca 1959-; Ely Antonio Tadeu Dirani; Adrian Ferreira Castro

São Paulo Centro de Excelência em Distribuição de Energia Elétrica 1996

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9
Películas de silício microcristalino hidrogenado depositadas a baixa temperatura pela técnica PECVD
Películas de silício microcristalino hidrogenado depositadas a baixa temperatura pela técnica PECVD
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Películas de silício microcristalino hidrogenado depositadas a baixa temperatura pela técnica PECVD

Ely Antonio Tadeu Dirani Adnei Melges de Andrade 1943-

1998

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-1172 ) e outros locais(Acessar)

10
Peliculas de silicio microcristalino hidrogenado um estudo de desenvolvimento de sua obtencao por processo cvd assistido por plasma
Peliculas de silicio microcristalino hidrogenado um estudo de desenvolvimento de sua obtencao por processo cvd assistido por plasma
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Peliculas de silicio microcristalino hidrogenado um estudo de desenvolvimento de sua obtencao por processo cvd assistido por plasma

Ely Antonio Tadeu Dirani Adnei Melges de Andrade 1943-

1991

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-1287 ) e outros locais(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Dirani, E
  2. Andrade, A
  3. Fonseca, F
  4. Faria, R
  5. Nardes, A

Neste Assunto:

  1. Engenharia Elétrica
  2. Dispositivos Eletrônicos
  3. Filmes Finos
  4. Microeletrônica
  5. Físico-Química

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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