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Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films： The role of thickness
Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films： The role of thickness
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Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films： The role of thickness

Babar, A. R ; Shinde, S. S ; Moholkar, A. V ; Bhosale, C. H ; Kim, J. H ; Rajpure, K. Y

Journal of semiconductors, 2011-05, Vol.32 (5), p.10-17 [Periódico revisado por pares]

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Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
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Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes

Kamiyama, Satoshi ; Iwaya, Motoaki ; Takeuchi, Tetsuya ; Akasaki, Isamu ; Syväjärvi, Mikael ; Yakimova, Rositza

Journal of semiconductors, 2011, Vol.32 (1), p.24-26 [Periódico revisado por pares]

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Analysis of the dV/dt effect on an IGBT gate circuit in IPM
Analysis of the dV/dt effect on an IGBT gate circuit in IPM
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Analysis of the dV/dt effect on an IGBT gate circuit in IPM

华庆 李泽宏 张波 黄祥钧 程德凯

Journal of semiconductors, 2013-04, Vol.34 (4), p.64-68 [Periódico revisado por pares]

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Extraction of terahertz emission from a grating-coupled high-electron-mobility transistor
Extraction of terahertz emission from a grating-coupled high-electron-mobility transistor
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Extraction of terahertz emission from a grating-coupled high-electron-mobility transistor

Zhou, Yu ; Li, Xinxing ; Tan, Renbing ; Xue, Wei ; Huang, Yongdan ; Lou, Shitao ; Zhang, Baoshun ; Qin, Hua

Journal of semiconductors, 2013-02, Vol.34 (2), p.6-10 [Periódico revisado por pares]

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Design of a high performance CMOS charge pump for phase-locked loop synthesizers
Design of a high performance CMOS charge pump for phase-locked loop synthesizers
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Design of a high performance CMOS charge pump for phase-locked loop synthesizers

李智群 郑爽爽 侯凝冰

Journal of semiconductors, 2011-07, Vol.32 (7), p.103-107 [Periódico revisado por pares]

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A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process
A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process
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A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process

李贵柯 冯鹏 吴南健

Journal of semiconductors, 2011-10, Vol.32 (10), p.133-138 [Periódico revisado por pares]

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A 200 mV low leakage current subthreshold SRAM bitcell in a 130 nm CMOS process
A 200 mV low leakage current subthreshold SRAM bitcell in a 130 nm CMOS process
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A 200 mV low leakage current subthreshold SRAM bitcell in a 130 nm CMOS process

柏娜 吕白涛

Journal of semiconductors, 2012-06, Vol.33 (6), p.95-100 [Periódico revisado por pares]

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Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC
Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC
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Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC

吴海雷 孙国胜 杨挺 闫果果 王雷 赵万顺 刘兴昉 曾一平 温家良

Journal of semiconductors, 2011-07, Vol.32 (7), p.5-8 [Periódico revisado por pares]

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9
Robust and low power register file in 65 nm technology
Robust and low power register file in 65 nm technology
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Robust and low power register file in 65 nm technology

Zhang, Xingxing ; Li, Yi ; Xiong, Baoyu ; Han, Jun ; Zhang, Yuejun ; Dong, Fangyuan ; Zhang, Zhang ; Yu, Zhiyi ; Cheng, Xu ; Zeng, Xiaoyang

Journal of semiconductors, 2012-03, Vol.33 (3), p.109-113 [Periódico revisado por pares]

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10
Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices
Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices
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Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices

黄辉祥 刘张李 胡志远 张正选 陈明 毕大炜 邹世昌

Journal of semiconductors, 2012-04, Vol.33 (4), p.64-68 [Periódico revisado por pares]

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