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Ab initio velocity-field curves in monoclinic β-Ga2O3
Ab initio velocity-field curves in monoclinic β-Ga2O3
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Ab initio velocity-field curves in monoclinic β-Ga2O3

Ghosh, Krishnendu ; Singisetti, Uttam

Journal of applied physics, 2017-07, Vol.122 (3) [Periódico revisado por pares]

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Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
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Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy

Oshima, Yuichi ; Víllora, Encarnación G. ; Matsushita, Yoshitaka ; Yamamoto, Satoshi ; Shimamura, Kiyoshi

Journal of applied physics, 2015-08, Vol.118 (8) [Periódico revisado por pares]

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Engineering lattice metamaterials for extreme property, programmability, and multifunctionality
Engineering lattice metamaterials for extreme property, programmability, and multifunctionality
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Engineering lattice metamaterials for extreme property, programmability, and multifunctionality

Jia, Zian ; Liu, Fan ; Jiang, Xihang ; Wang, Lifeng

Journal of applied physics, 2020-04, Vol.127 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Antiferromagnetic spintronics
Antiferromagnetic spintronics
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Antiferromagnetic spintronics

Fukami, Shunsuke ; Lorenz, Virginia O. ; Gomonay, Olena

Journal of applied physics, 2020-08, Vol.128 (7) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Nanothermochromics: Calculations for VO2 nanoparticles in dielectric hosts show much improved luminous transmittance and solar energy transmittance modulation
Nanothermochromics: Calculations for VO2 nanoparticles in dielectric hosts show much improved luminous transmittance and solar energy transmittance modulation
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Nanothermochromics: Calculations for VO2 nanoparticles in dielectric hosts show much improved luminous transmittance and solar energy transmittance modulation

Li, S.-Y. ; Niklasson, G. A. ; Granqvist, C. G.

Journal of applied physics, 2010-09, Vol.108 (6), p.063525 [Periódico revisado por pares]

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Electrical properties of β -Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method
Electrical properties of β -Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method
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Electrical properties of β -Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method

Irmscher, K. ; Galazka, Z. ; Pietsch, M. ; Uecker, R. ; Fornari, R.

Journal of applied physics, 2011-09, Vol.110 (6) [Periódico revisado por pares]

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17
Surface states of carbon dots and their influences on luminescence
Surface states of carbon dots and their influences on luminescence
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Surface states of carbon dots and their influences on luminescence

Ding, Hui ; Li, Xue-Hua ; Chen, Xiao-Bo ; Wei, Ji-Shi ; Li, Xiao-Bing ; Xiong, Huan-Ming

Journal of applied physics, 2020-06, Vol.127 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2O3 layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2O3 layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
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Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2O3 layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Farzana, Esmat ; Ahmadi, Elaheh ; Speck, James S. ; Arehart, Aaron R. ; Ringel, Steven A.

Journal of applied physics, 2018-04, Vol.123 (16) [Periódico revisado por pares]

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19
B4C thin films for neutron detection
B4C thin films for neutron detection
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B4C thin films for neutron detection

Höglund, Carina ; Birch, Jens ; Andersen, Ken ; Bigault, Thierry ; Buffet, Jean-Claude ; Correa, Jonathan ; van Esch, Patrick ; Guerard, Bruno ; Hall-Wilton, Richard ; Jensen, Jens ; Khaplanov, Anton ; Piscitelli, Francesco ; Vettier, Christian ; Vollenberg, Wilhelmus ; Hultman, Lars

Journal of applied physics, 2012-05, Vol.111 (10), p.104908 [Periódico revisado por pares]

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20
Systematic study of interface trap and barrier inhomogeneities using I-V-T characteristics of Au/ZnO nanorods Schottky diode
Systematic study of interface trap and barrier inhomogeneities using I-V-T characteristics of Au/ZnO nanorods Schottky diode
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Systematic study of interface trap and barrier inhomogeneities using I-V-T characteristics of Au/ZnO nanorods Schottky diode

Hussain, I. ; Soomro, M. Y. ; Bano, N. ; Nur, O. ; Willander, M.

Journal of applied physics, 2013-06, Vol.113 (23) [Periódico revisado por pares]

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  1. Silva, Y
  2. Filgueiras, H
  3. Materon, E
  4. Figueiredo, F
  5. Oliveira Junior, O

Neste Assunto:

  1. Physics
  2. Science & Technology
  3. Physical Sciences
  4. Physics, Applied
  5. General Physics And Astronomy

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