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Area Dependence of Effective Electromechanical Coupling Coefficient Induced by On-Chip Inductance in LiNbO[sub.3]-Based BAW Resonators
Area Dependence of Effective Electromechanical Coupling Coefficient Induced by On-Chip Inductance in LiNbO[sub.3]-Based BAW Resonators
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Area Dependence of Effective Electromechanical Coupling Coefficient Induced by On-Chip Inductance in LiNbO[sub.3]-Based BAW Resonators

Lv, Lu ; Shuai, Yao ; Huang, Shitian ; Zhu, Dailei ; Wang, Yuedong ; Luo, Wenbo ; Pan, Xinqiang ; Wu, Chuangui ; Zhang, Wanli

Electronics (Basel), 2022-12, Vol.11 (23) [Periódico revisado por pares]

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Performance of a Pd-Zn Cathode Electrode in a H[sub.2] Fueled Single PEM Fuel Cell
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Performance of a Pd-Zn Cathode Electrode in a H[sub.2] Fueled Single PEM Fuel Cell

Bampos, Georgios ; Bebelis, Symeon

Electronics (Basel), 2022-09, Vol.11 (17) [Periódico revisado por pares]

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Graphene Multi-Frequency Broadband and Ultra-Broadband Terahertz Absorber Based on Surface Plasmon Resonance
Graphene Multi-Frequency Broadband and Ultra-Broadband Terahertz Absorber Based on Surface Plasmon Resonance
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Graphene Multi-Frequency Broadband and Ultra-Broadband Terahertz Absorber Based on Surface Plasmon Resonance

Chen, Zihao ; Cai, Pinggen ; Wen, Qiye ; Chen, Hao ; Tang, Yongjian ; Yi, Zao ; Wei, Kaihua ; Li, Gongfa ; Tang, Bin ; Yi, Yougen

Electronics (Basel), 2023-06, Vol.12 (12), p.2655 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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HfO[sub.x]/Ge RRAM with High ON/OFF Ratio and Good Endurance
HfO[sub.x]/Ge RRAM with High ON/OFF Ratio and Good Endurance
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HfO[sub.x]/Ge RRAM with High ON/OFF Ratio and Good Endurance

Wei, Na ; Ding, Xiang ; Gao, Shifan ; Wu, Wenhao ; Zhao, Yi

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (22) [Periódico revisado por pares]

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Theoretical Design of a Dual-Band TE[sub.01]/TE[sub.02] Mode Gyrotron Traveling Wave Tube
Theoretical Design of a Dual-Band TE[sub.01]/TE[sub.02] Mode Gyrotron Traveling Wave Tube
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Theoretical Design of a Dual-Band TE[sub.01]/TE[sub.02] Mode Gyrotron Traveling Wave Tube

Chen, Rutai ; Zhang, Tianzhong ; Zhao, Qixiang ; Yu, Sheng

Electronics (Basel), 2023-07, Vol.12 (15) [Periódico revisado por pares]

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Use of Thermochromic Properties of VO[sub.2] for Reconfigurable Frequency Selection
Use of Thermochromic Properties of VO[sub.2] for Reconfigurable Frequency Selection
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Use of Thermochromic Properties of VO[sub.2] for Reconfigurable Frequency Selection

Abdullahi, Qassim ; Dzipalski, Adrian ; Raguenes, Clement ; Sepulveda, Nelson ; Jose, Gin ; Shanim, Atif ; Goussetis, George ; Hand, Duncan ; Anagnostou, Dimitris E

Electronics (Basel), 2022-12, Vol.11 (24) [Periódico revisado por pares]

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Large-Scale Iβ/I-Ga[sub.2]O[sub.3] Trench MOS-Type Schottky Barrier Diodes with 1.02 Ideality Factor and 0.72 V Turn-On Voltage
Large-Scale Iβ/I-Ga[sub.2]O[sub.3] Trench MOS-Type Schottky Barrier Diodes with 1.02 Ideality Factor and 0.72 V Turn-On Voltage
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Large-Scale Iβ/I-Ga[sub.2]O[sub.3] Trench MOS-Type Schottky Barrier Diodes with 1.02 Ideality Factor and 0.72 V Turn-On Voltage

He, Hao ; Zhou, Xinlong ; Liu, Yinchi ; Liu, Wenjing ; Yang, Jining ; Zhang, Hao ; Xie, Genran ; Liu, Wenjun

Electronics (Basel), 2023-10, Vol.12 (20) [Periódico revisado por pares]

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A Iz/I-Axis-Tolerant Inductive Power Transfer System Using a Bipolar Double D Receiver Coil Structure
A Iz/I-Axis-Tolerant Inductive Power Transfer System Using a Bipolar Double D Receiver Coil Structure
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A Iz/I-Axis-Tolerant Inductive Power Transfer System Using a Bipolar Double D Receiver Coil Structure

Domajnko, Jure ; Prosen, Natasa

Electronics (Basel), 2023-10, Vol.12 (20) [Periódico revisado por pares]

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A IKa/I-Band Doherty Power Amplifier in a 150 nm GaN-on-SiC Technology for 5G Applications
A IKa/I-Band Doherty Power Amplifier in a 150 nm GaN-on-SiC Technology for 5G Applications
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A IKa/I-Band Doherty Power Amplifier in a 150 nm GaN-on-SiC Technology for 5G Applications

Parisi, Alessandro ; Papotto, Giuseppe ; Nocera, Claudio ; Castorina, Alessandro ; Palmisano, Giuseppe

Electronics (Basel), 2023-08, Vol.12 (17) [Periódico revisado por pares]

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A Robust LC-Iπ/I Matching Network for 112 Gb/s PAM4 Receiver in 28 nm CMOS
A Robust LC-Iπ/I Matching Network for 112 Gb/s PAM4 Receiver in 28 nm CMOS
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A Robust LC-Iπ/I Matching Network for 112 Gb/s PAM4 Receiver in 28 nm CMOS

Han, Gengshi ; Zheng, Xuqiang ; Xu, Hua ; Wang, Zedong ; Wen, Zhanhao ; He, Yu ; Chen, Bao ; Liu, Xinyu

Electronics (Basel), 2023-06, Vol.12 (13) [Periódico revisado por pares]

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  5. Physics, Applied  (1.302)
  6. Engineering  (1.302)
  7. Physical Sciences  (1.302)
  8. Physics  (1.302)
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  10. Technology  (1.302)
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  3. 2020Até2020  (11)
  4. 2021Até2022  (389)
  5. Após 2022  (956)
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