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The Bi-mode Insulated Gate Transistor (BIGT) a potential technology for higher power applications
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The Bi-mode Insulated Gate Transistor (BIGT) a potential technology for higher power applications

Rahimo, M. ; Kopta, A. ; Schlapbach, U. ; Vobecky, J. ; Schnell, R. ; Klaka, S.

2009 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's, 2009, p.283-286

IEEE

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12
The field charge extraction (FCE) diode: a novel technology for soft recovery high voltage diodes
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Ata de Congresso
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The field charge extraction (FCE) diode: a novel technology for soft recovery high voltage diodes

Kopta, A. ; Rahimo, M.

Proceedings. ISPSD '05. The 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2005, 2005, p.83-86

IEEE

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13
The radial layout design concept for the Bi-mode insulated gate transistor
Material Type:
Ata de Congresso
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The radial layout design concept for the Bi-mode insulated gate transistor

Storasta, L. ; Rahimo, M. ; Bellini, M. ; Kopta, A. ; Vemulapati, U. R. ; Kaminski, N.

2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2011, p.56-59

IEEE

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14
Limitation of the short-circuit ruggedness of high-voltage IGBTs
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Ata de Congresso
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Limitation of the short-circuit ruggedness of high-voltage IGBTs

Kopta, A. ; Rahimo, M. ; Schlapbach, U. ; Kaminski, N. ; Silber, D.

2009 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's, 2009, p.33-36

IEEE

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15
Characterization of 6.5 kV IGBTs for High-Power Medium-Frequency Soft-Switched Applications
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Artigo
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Characterization of 6.5 kV IGBTs for High-Power Medium-Frequency Soft-Switched Applications

Dujic, Drazen ; Steinke, Gina K. ; Bellini, Marco ; Rahimo, Munaf ; Storasta, Liutauras ; Steinke, Juergen K.

IEEE transactions on power electronics, 2014-02, Vol.29 (2), p.906-919 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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16
Extraction of dynamic avalanche during IGBT turn off
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Artigo
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Extraction of dynamic avalanche during IGBT turn off

Geissmann, Silvan ; Michielis, L. De ; Corvasce, Ch ; Rahimo, M. ; Andenna, M.

Microelectronics and reliability, 2017-09, Vol.76-77, p.495-499 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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17
Capacitive effects in IGBTs limiting their reliability under short circuit
Material Type:
Artigo
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Capacitive effects in IGBTs limiting their reliability under short circuit

Reigosa, P.D. ; Iannuzzo, F. ; Rahimo, M. ; Blaabjerg, F.

Microelectronics and reliability, 2017-09, Vol.76-77, p.485-489 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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18
4.5kV press pack IGBT designed for ruggedness and reliability
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Ata de Congresso
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4.5kV press pack IGBT designed for ruggedness and reliability

Eicher, S. ; Rahimo, M. ; Tsyplakov, E. ; Schneider, D. ; Kopta, A. ; Schlapbach, U. ; Carroll, E.

Conference Record of the 2004 IEEE Industry Applications Conference, 2004. 39th IAS Annual Meeting, 2004, Vol.3, p.1534-1539 vol.3

Piscataway NJ: IEEE

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19
Characterization of a n+3C/n-4H SiC heterojunction diode
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Artigo
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Characterization of a n+3C/n-4H SiC heterojunction diode

Minamisawa, R.A ; Mihaila, A ; Farkas, I ; Teodorescu, V.S ; Afanas'ev, V.V ; Hsu, C.-W ; Janzen, E ; Rahimo, M

Applied Physics Letters, 2016, Vol.108 (14), p.143502-1 [Periódico revisado por pares]

MELVILLE: American Institute of Physics

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20
Formation of Insulated-Gate Bipolar Transistor Highly Activated Anodes via Nickel Silicidation With Dopant Segregation
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Artigo
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Formation of Insulated-Gate Bipolar Transistor Highly Activated Anodes via Nickel Silicidation With Dopant Segregation

Minamisawa, R. A. ; Papadopoulos, C. ; Jabrany, R. ; Knoll, L. ; Corvasce, C. ; Rahimo, M.

IEEE electron device letters, 2015-05, Vol.36 (5), p.487-489 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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