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Current Sharing Behavior in Si IGBT and SiC MOSFET Cross-Switch Hybrid
Current Sharing Behavior in Si IGBT and SiC MOSFET Cross-Switch Hybrid
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Current Sharing Behavior in Si IGBT and SiC MOSFET Cross-Switch Hybrid

Minamisawa, R. A. ; Vemulapati, U. ; Mihaila, A. ; Papadopoulos, C. ; Rahimo, M.

IEEE electron device letters, 2016-09, Vol.37 (9), p.1178-1180 [Periódico revisado por pares]

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Switching Stability Analysis of Paralleled RC-IGBTs With Snapback Effect
Switching Stability Analysis of Paralleled RC-IGBTs With Snapback Effect
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Switching Stability Analysis of Paralleled RC-IGBTs With Snapback Effect

Diaz Reigosa, P. ; Rahimo, M. ; Minamisawa, R. ; Iannuzzo, F.

IEEE transactions on electron devices, 2021-07, Vol.68 (7), p.3429-3434 [Periódico revisado por pares]

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Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area
Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area
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Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area

Antoniou, M. ; Lophitis, N. ; Udrea, F. ; Rahimo, M. ; Vemulapati, U. ; Corvasce, C. ; Badstuebner, U.

IEEE electron device letters, 2019-02, Vol.40 (2), p.177-180 [Periódico revisado por pares]

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Novel Approach Toward Plasma Enhancement in Trench-Insulated Gate Bipolar Transistors
Novel Approach Toward Plasma Enhancement in Trench-Insulated Gate Bipolar Transistors
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Novel Approach Toward Plasma Enhancement in Trench-Insulated Gate Bipolar Transistors

Antoniou, M. ; Lophitis, N. ; Bauer, F. ; Nistor, I. ; Bellini, M. ; Rahimo, M. ; Amaratunga, G. ; Udrea, F.

IEEE electron device letters, 2015-08, Vol.36 (8), p.823-825 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Optimal Gate Commutated Thyristor Design for Bi-Mode Gate Commutated Thyristors Underpinning High, Temperature Independent, Current Controllability
Optimal Gate Commutated Thyristor Design for Bi-Mode Gate Commutated Thyristors Underpinning High, Temperature Independent, Current Controllability
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Optimal Gate Commutated Thyristor Design for Bi-Mode Gate Commutated Thyristors Underpinning High, Temperature Independent, Current Controllability

Lophitis, N. ; Antoniou, M. ; Vemulapati, U. ; Vobecky, J. ; Badstuebner, U. ; Wikstroem, T. ; Stiasny, T. ; Rahimo, M. ; Udrea, F.

IEEE electron device letters, 2018-09, Vol.39 (9), p.1342-1345 [Periódico revisado por pares]

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Thin-Wafer Silicon IGBT With Advanced Laser Annealing and Sintering Process
Thin-Wafer Silicon IGBT With Advanced Laser Annealing and Sintering Process
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Thin-Wafer Silicon IGBT With Advanced Laser Annealing and Sintering Process

Rahimo, M. ; Corvasce, C. ; Vobecky, J. ; Otani, Y. ; Huet, K.

IEEE electron device letters, 2012-11, Vol.33 (11), p.1601-1603 [Periódico revisado por pares]

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7
New Bi-Mode Gate-Commutated Thyristor Design Concept for High-Current Controllability and Low ON-State Voltage Drop
New Bi-Mode Gate-Commutated Thyristor Design Concept for High-Current Controllability and Low ON-State Voltage Drop
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New Bi-Mode Gate-Commutated Thyristor Design Concept for High-Current Controllability and Low ON-State Voltage Drop

Lophitis, N. ; Antoniou, M. ; Vemulapati, U. ; Arnold, M. ; Nistor, I. ; Vobecky, J. ; Rahimo, M. ; Udrea, F.

IEEE electron device letters, 2016-04, Vol.37 (4), p.467-470 [Periódico revisado por pares]

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Characterization of a Silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET Cross-Switch Hybrid
Characterization of a Silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET Cross-Switch Hybrid
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Characterization of a Silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET Cross-Switch Hybrid

Rahimo, Munaf ; Canales, Francisco ; Minamisawa, Renato Amaral ; Papadopoulos, Charalampos ; Vemulapati, Umamaheswara ; Mihaila, Andrei ; Kicin, Slavo ; Drofenik, Uwe

IEEE transactions on power electronics, 2015-09, Vol.30 (9), p.4638-4642 [Periódico revisado por pares]

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9
Freewheeling diode reverse-recovery failure modes in IGBT applications
Freewheeling diode reverse-recovery failure modes in IGBT applications
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Freewheeling diode reverse-recovery failure modes in IGBT applications

Rahimo, M.T. ; Shammas, N.Y.A.

IEEE transactions on industry applications, 2001-03, Vol.37 (2), p.661-670 [Periódico revisado por pares]

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Characterization of 6.5 kV IGBTs for High-Power Medium-Frequency Soft-Switched Applications
Characterization of 6.5 kV IGBTs for High-Power Medium-Frequency Soft-Switched Applications
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Characterization of 6.5 kV IGBTs for High-Power Medium-Frequency Soft-Switched Applications

Dujic, Drazen ; Steinke, Gina K. ; Bellini, Marco ; Rahimo, Munaf ; Storasta, Liutauras ; Steinke, Juergen K.

IEEE transactions on power electronics, 2014-02, Vol.29 (2), p.906-919 [Periódico revisado por pares]

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