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AlN grown on Si(111) by ammonia-molecular beam epitaxy in the 900–1200°C temperature range
AlN grown on Si(111) by ammonia-molecular beam epitaxy in the 900–1200°C temperature range
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AlN grown on Si(111) by ammonia-molecular beam epitaxy in the 900–1200°C temperature range

Tamariz, Sebastian ; Martin, Denis ; Grandjean, Nicolas

Journal of crystal growth, 2017-10, Vol.476, p.58-63 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy
Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy
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Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy

Ptak, A.J. ; France, R. ; Beaton, D.A. ; Alberi, K. ; Simon, J. ; Mascarenhas, A. ; Jiang, C.-S.

Journal of crystal growth, 2012, Vol.338 (1), p.107-110 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
MBE grown Ga2O3 and its power device applications
MBE grown Ga2O3 and its power device applications
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MBE grown Ga2O3 and its power device applications

Sasaki, Kohei ; Higashiwaki, Masataka ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.591-595 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate
Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate
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Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate

Suzuki, Hidetoshi ; Ito, Daiki ; Fukuyama, Atsuhiko ; Ikari, Tetsuo

Journal of crystal growth, 2013-10, Vol.380, p.148-152 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
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Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Naritsuka, S. ; Lin, C.H. ; Uchiyama, S. ; Maruyama, T.

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.303-306 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer
Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer
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Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer

Rieger, Torsten ; Heiderich, Sonja ; Lenk, Steffi ; Lepsa, Mihail Ion ; Grützmacher, Detlev

Journal of crystal growth, 2012-08, Vol.353 (1), p.39-46 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
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Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography

Bengoechea-Encabo, A. ; Albert, S. ; Sanchez-Garcia, M.A. ; López, L.L. ; Estradé, S. ; Rebled, J.M. ; Peiró, F. ; Nataf, G. ; de Mierry, P. ; Zuniga-Perez, J. ; Calleja, E.

Journal of crystal growth, 2012-08, Vol.353 (1), p.1-4 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
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Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates

Toh, Katsuaki ; Hara, Kosuke O. ; Usami, Noritaka ; Saito, Noriyuki ; Yoshizawa, Noriko ; Toko, Kaoru ; Suemasu, Takashi

Journal of crystal growth, 2012-04, Vol.345 (1), p.16-21 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Critical impact of Ehrlich–Schwöbel barrier on GaN surface morphology during homoepitaxial growth
Critical impact of Ehrlich–Schwöbel barrier on GaN surface morphology during homoepitaxial growth
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Critical impact of Ehrlich–Schwöbel barrier on GaN surface morphology during homoepitaxial growth

Kaufmann, Nils. A.K. ; Lahourcade, L. ; Hourahine, B. ; Martin, D. ; Grandjean, N.

Journal of crystal growth, 2016-01, Vol.433, p.36-42 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Antiphase domain annihilation during growth of GaP on Si by molecular beam epitaxy
Antiphase domain annihilation during growth of GaP on Si by molecular beam epitaxy
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Antiphase domain annihilation during growth of GaP on Si by molecular beam epitaxy

Lin, Angie C. ; Fejer, M.M. ; Harris, James S.

Journal of crystal growth, 2013-01, Vol.363, p.258-263 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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