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Ultrathin-barrier AlN/GaN heterostructures grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates
Ultrathin-barrier AlN/GaN heterostructures grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates
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Ultrathin-barrier AlN/GaN heterostructures grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates

Storm, D.F. ; Deen, D.A. ; Katzer, D.S. ; Meyer, D.J. ; Binari, S.C. ; Gougousi, T. ; Paskova, T. ; Preble, E.A. ; Evans, K.R. ; Smith, David J.

Journal of crystal growth, 2013-10, Vol.380, p.14-17 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN
MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN
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MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN

Schupp, T. ; Lischka, K. ; As, D.J.

Journal of crystal growth, 2010-04, Vol.312 (9), p.1500-1504 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE
Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE
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Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE

Nechaev, D.V. ; Aseev, P.A. ; Jmerik, V.N. ; Brunkov, P.N. ; Kuznetsova, Y.V. ; Sitnikova, A.A. ; Ratnikov, V.V. ; Ivanov, S.V.

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.319-322 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
Annealing induced anisotropy in GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy
Annealing induced anisotropy in GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy
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Annealing induced anisotropy in GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy

Adorno, S. ; Bietti, S. ; Sanguinetti, S.

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.515-518 [Periódico revisado por pares]

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5
All in-situ GaSb MOS structures on GaAs (001): Growth, passivation and high-k oxides
All in-situ GaSb MOS structures on GaAs (001): Growth, passivation and high-k oxides
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All in-situ GaSb MOS structures on GaAs (001): Growth, passivation and high-k oxides

Tokranov, V. ; Madisetti, S. ; Yakimov, M. ; Nagaiah, P. ; Faleev, N. ; Oktyabrsky, S.

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.631-635 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Smooth surface, low electron concentration, and high mobility ZnO films on c-plane sapphire
Smooth surface, low electron concentration, and high mobility ZnO films on c-plane sapphire
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Smooth surface, low electron concentration, and high mobility ZnO films on c-plane sapphire

Chu, Sheng ; Morshed, Muhammad ; Li, Lin ; Huang, Jian ; Liu, Jianlin

Journal of crystal growth, 2011-06, Vol.325 (1), p.36-40 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Lattice and grain-boundary diffusions of impurity atoms in BaSi2 epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy
Lattice and grain-boundary diffusions of impurity atoms in BaSi2 epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy
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Lattice and grain-boundary diffusions of impurity atoms in BaSi2 epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy

Nakamura, K. ; Toh, K. ; Baba, M. ; Ajmal Khan, M. ; Du, W. ; Toko, K. ; Suemasu, T.

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.189-192 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring
Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring
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Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

Jmerik, V.N. ; Mizerov, A.M. ; Nechaev, D.V. ; Aseev, P.A. ; Sitnikova, A.A. ; Troshkov, S.I. ; Kop'ev, P.S. ; Ivanov, S.V.

Journal of crystal growth, 2012-09, Vol.354 (1), p.188-192 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Growth of ZnMgTe/ZnTe waveguide structures on ZnTe (001) substrates by molecular beam epitaxy
Growth of ZnMgTe/ZnTe waveguide structures on ZnTe (001) substrates by molecular beam epitaxy
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Growth of ZnMgTe/ZnTe waveguide structures on ZnTe (001) substrates by molecular beam epitaxy

Kumagai, Y. ; Imada, S. ; Baba, T. ; Kobayashi, M.

Journal of crystal growth, 2011-05, Vol.323 (1), p.132-134 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
Study of the pseudo-(1×1) surface by RHEED and XPS for InGaN/GaN (0001)/Al2O3 heterostructures grown by PA-MBE
Study of the pseudo-(1×1) surface by RHEED and XPS for InGaN/GaN (0001)/Al2O3 heterostructures grown by PA-MBE
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Study of the pseudo-(1×1) surface by RHEED and XPS for InGaN/GaN (0001)/Al2O3 heterostructures grown by PA-MBE

Cruz-Hernández, E. ; Ramirez-Lopez, M. ; Pérez-Caro, M. ; Mani-Gonzalez, P.G. ; Herrera-Gómez, A. ; Gorbatchev, A. Yu ; López-López, M. ; Méndez-García, V.H.

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.295-298 [Periódico revisado por pares]

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  5. Após 2011  (71)
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