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Refinado por: Nome da Publicação: Solid-State Electronics remover
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Surface characterization of LEC Si-GaAs using photoreflectance with sub-bandgap excitation
Surface characterization of LEC Si-GaAs using photoreflectance with sub-bandgap excitation
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Surface characterization of LEC Si-GaAs using photoreflectance with sub-bandgap excitation

Bhimnathwala, H. ; Borrego, J.M.

Solid-state electronics, 1992, Vol.35 (10), p.1503-1511 [Periódico revisado por pares]

OXFORD: Elsevier Ltd

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2
Electrical characteristics of GaAs MIS Schottky diodes
Electrical characteristics of GaAs MIS Schottky diodes
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Electrical characteristics of GaAs MIS Schottky diodes

Ashok, S. ; Borrego, J.M. ; Gutmann, R.J.

Solid-state electronics, 1979-01, Vol.22 (7), p.621-631 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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3
Modulation spectroscopy characterization of InP and GaAs solar cells
Modulation spectroscopy characterization of InP and GaAs solar cells
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Modulation spectroscopy characterization of InP and GaAs solar cells

Rodrigues, R.G. ; Borrego, J.M.

Solid-state electronics, 1997, Vol.41 (12), p.1827-1835 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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4
Solar cells in bulk InP, made by an open tube diffusion process
Solar cells in bulk InP, made by an open tube diffusion process
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Solar cells in bulk InP, made by an open tube diffusion process

Parat, K.K. ; Bothra, S. ; Borrego, J.M. ; Ghandhi, S.K.

Solid-state electronics, 1987-03, Vol.30 (3), p.283-287 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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5
Non-destructive lifetime measurement in silicon wafers by microwave reflection
Non-destructive lifetime measurement in silicon wafers by microwave reflection
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Non-destructive lifetime measurement in silicon wafers by microwave reflection

Borrego, J.M. ; Gutmann, R.J. ; Jensen, N. ; Paz, O.

Solid-state electronics, 1987, Vol.30 (2), p.195-203 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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6
Interface state density in Au- nGaAs Schottky diodes
Interface state density in Au- nGaAs Schottky diodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Interface state density in Au- nGaAs Schottky diodes

Borrego, J.M. ; Gutmann, R.J. ; Ashok, S.

Solid-state electronics, 1977-01, Vol.20 (2), p.125-132 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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7
Photoeffects in common-source and common-drain microwave GaAs MESFET oscillators
Photoeffects in common-source and common-drain microwave GaAs MESFET oscillators
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Photoeffects in common-source and common-drain microwave GaAs MESFET oscillators

Sun, H.J. ; Gutmann, R.J. ; Borrego, J.M.

Solid-state electronics, 1981-10, Vol.24 (10), p.935-940 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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8
Fabrication of p+- n junction GaAs solar cells by a novel method
Fabrication of p+- n junction GaAs solar cells by a novel method
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Fabrication of p+- n junction GaAs solar cells by a novel method

Ghandhi, S.K. ; Mathur, G. ; Rode, H. ; Borrego, J.M.

Solid-state electronics, 1984-12, Vol.27 (12), p.1149-1150 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: Elsevier Ltd

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9
CdTe-InSb heterostructures grown by organometallic-vapor-phase epitaxy: Preparation and electrical properties
CdTe-InSb heterostructures grown by organometallic-vapor-phase epitaxy: Preparation and electrical properties
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CdTe-InSb heterostructures grown by organometallic-vapor-phase epitaxy: Preparation and electrical properties

Bhat, I.B. ; Sundaram, L.M.G. ; Taskar, N.R. ; Borrego, J.M. ; Ghandhi, S.K.

Solid-state electronics, 1986-02, Vol.29 (2), p.257-260 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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10
Diffusion length measurements in Schottky barrier GaAs solar cells
Diffusion length measurements in Schottky barrier GaAs solar cells
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Diffusion length measurements in Schottky barrier GaAs solar cells

Lender, R.J. ; Tiwari, S. ; Borrego, J.M. ; Ghandhi, S.K.

Solid-state electronics, 1979-01, Vol.22 (2), p.213-214 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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