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Raman spectra of twisted bilayer graphene close to the magic angle
Raman spectra of twisted bilayer graphene close to the magic angle
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Raman spectra of twisted bilayer graphene close to the magic angle

Barbosa, Tiago C ; Gadelha, Andreij C ; Ohlberg, Douglas A A ; Watanabe, Kenji ; Taniguchi, Takashi ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto ; Jorio, Ado ; Campos, Leonardo C

2d materials, 2022-04, Vol.9 (2), p.25007 [Periódico revisado por pares]

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Observation of well-defined Kohn-anomaly in high-quality graphene devices at room temperature
Observation of well-defined Kohn-anomaly in high-quality graphene devices at room temperature
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Observation of well-defined Kohn-anomaly in high-quality graphene devices at room temperature

Gadelha, Andreij C ; Nadas, Rafael ; Barbosa, Tiago C ; Watanabe, Kenji ; Taniguchi, Takashi ; Campos, Leonardo C ; Raschke, Markus B ; Jorio, Ado

2d materials, 2022-10, Vol.9 (4), p.45028 [Periódico revisado por pares]

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Nano-Raman spectroscopy of 2D materials
Nano-Raman spectroscopy of 2D materials
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Nano-Raman spectroscopy of 2D materials

Jorio, Ado ; Nadas, Rafael ; Pereira, Andre G ; Rabelo, Cassiano ; Gadelha, Andreij C ; Vasconcelos, Thiago L ; Zhang, Wenjin ; Miyata, Yasumitsu ; Saito, Riichiro ; Costa, Márcia D D ; Cançado, Luiz Gustavo

2d materials, 2024-07, Vol.11 (3), p.33003 [Periódico revisado por pares]

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Gate-tunable non-volatile photomemory effect in MoS2 transistors
Gate-tunable non-volatile photomemory effect in MoS2 transistors
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Gate-tunable non-volatile photomemory effect in MoS2 transistors

Gadelha, Andreij C ; Cadore, Alisson R ; Watanabe, Kenji ; Taniguchi, Takashi ; de Paula, Ana M ; Malard, Leandro M ; Lacerda, Rodrigo G ; Campos, Leonardo C

2d materials, 2019-03, Vol.6 (2) [Periódico revisado por pares]

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Robust nanofabrication of monolayer MoS2 islands with strong photoluminescence enhancement via local anodic oxidation
Robust nanofabrication of monolayer MoS2 islands with strong photoluminescence enhancement via local anodic oxidation
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Robust nanofabrication of monolayer MoS2 islands with strong photoluminescence enhancement via local anodic oxidation

Fernandes, Thales F D ; de C Gadelha, Andreij ; Barboza, Ana P M ; Paniago, Roberto M ; Campos, Leonardo C ; Soares Guimarães, Paulo S ; de Assis, Pierre-Louis ; Neves, Bernardo R A

2d materials, 2018-03, Vol.5 (2) [Periódico revisado por pares]

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Locally-enhanced optical properties in a hybrid organic/inorganic (coronene/MoS2) Van der Waals heterostructure
Locally-enhanced optical properties in a hybrid organic/inorganic (coronene/MoS2) Van der Waals heterostructure
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Locally-enhanced optical properties in a hybrid organic/inorganic (coronene/MoS2) Van der Waals heterostructure

Gadelha, Andreij C ; Santos, Joyce C C ; Rabelo, Cassiano ; Vasconcelos, Thiago L ; Alencar, Rafael S ; Monken, Vitor ; Miranda, Hudson L S ; Cury, Luiz A ; Jaques, Ygor M ; Tromer, Raphael M ; Galvão, Douglas S ; Cançado, Luiz G ; Neves, Bernardo R A ; Jorio, Ado

2d materials, 2023-04, Vol.10 (2), p.25015 [Periódico revisado por pares]

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Controlling the electronic bands of a 2D semiconductor by force microscopy
Controlling the electronic bands of a 2D semiconductor by force microscopy
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Controlling the electronic bands of a 2D semiconductor by force microscopy

de Araújo, Daniel B ; Almeida, Rodrigo Q ; Gadelha, Andreij C ; Rezende, Natália P ; Salomão, F C C S ; Silva, F W N ; Campos, Leonardo C ; Barros, Eduardo B

2d materials, 2020-10, Vol.7 (4), p.45029 [Periódico revisado por pares]

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Robust nanofabrication of monolayer MoS 2 islands with strong photoluminescence enhancement via local anodic oxidation
Robust nanofabrication of monolayer MoS 2 islands with strong photoluminescence enhancement via local anodic oxidation
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Robust nanofabrication of monolayer MoS 2 islands with strong photoluminescence enhancement via local anodic oxidation

Fernandes, Thales F D ; de C Gadelha, Andreij ; Barboza, Ana P M ; Paniago, Roberto M ; Campos, Leonardo C ; Soares Guimarães, Paulo S ; de Assis, Pierre-Louis ; Neves, Bernardo R A

2d materials, 2018-03, Vol.5 (2), p.25018 [Periódico revisado por pares]

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Gate-tunable non-volatile photomemory effect in MoS 2 transistors
Gate-tunable non-volatile photomemory effect in MoS 2 transistors
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Gate-tunable non-volatile photomemory effect in MoS 2 transistors

Gadelha, Andreij C ; Cadore, Alisson R ; Watanabe, Kenji ; Taniguchi, Takashi ; de Paula, Ana M ; Malard, Leandro M ; Lacerda, Rodrigo G ; Campos, Leonardo C

2d materials, 2019-03, Vol.6 (2), p.25036 [Periódico revisado por pares]

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Reversible doping of graphene field effect transistors by molecular hydrogen: the role of the metal/graphene interface
Reversible doping of graphene field effect transistors by molecular hydrogen: the role of the metal/graphene interface
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Reversible doping of graphene field effect transistors by molecular hydrogen: the role of the metal/graphene interface

Pereira, C L ; Cadore, A R ; Rezende, N P ; Gadelha, A ; Soares, E A ; Chacham, H ; Campos, L C ; Lacerda, R G

2d materials, 2019-03, Vol.6 (2), p.25037 [Periódico revisado por pares]

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