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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Microelectrònica remover Enginyeria Electrònica remover
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1
“Silicon millefeuille”: From a silicon wafer to multiple thin crystalline films in a single step
“Silicon millefeuille”: From a silicon wafer to multiple thin crystalline films in a single step
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“Silicon millefeuille”: From a silicon wafer to multiple thin crystalline films in a single step

Hernández, David ; Trifonov, Trifon ; Garín, Moisés ; Alcubilla, Ramon

Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (17) [Periódico revisado por pares]

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2
Spatially and frequency-resolved monitoring of intradie capacitive coupling by heterodyne excitation infrared lock-in thermography
Spatially and frequency-resolved monitoring of intradie capacitive coupling by heterodyne excitation infrared lock-in thermography
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Spatially and frequency-resolved monitoring of intradie capacitive coupling by heterodyne excitation infrared lock-in thermography

León, J. ; Perpiñà, X. ; Altet, J. ; Vellvehi, M. ; Jordà, X.

Applied physics letters, 2013-02, Vol.102 (5) [Periódico revisado por pares]

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3
Study of heat sources interacting in integrated circuits by laser mirage effect
Study of heat sources interacting in integrated circuits by laser mirage effect
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Study of heat sources interacting in integrated circuits by laser mirage effect

Perpiñà, X. ; Jordà, X. ; Vellvehi, M. ; Altet, J.

Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Experimental observation of oxygen-related defect state in pentacene thin films
Experimental observation of oxygen-related defect state in pentacene thin films
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Experimental observation of oxygen-related defect state in pentacene thin films

Nádaždy, V. ; Durný, R. ; Puigdollers, J. ; Voz, C. ; Cheylan, S. ; Gmucová, K.

Applied physics letters, 2007-02, Vol.90 (9) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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5
Effect of amorphous silicon carbide layer thickness on the passivation quality of crystalline silicon surface
Effect of amorphous silicon carbide layer thickness on the passivation quality of crystalline silicon surface
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Effect of amorphous silicon carbide layer thickness on the passivation quality of crystalline silicon surface

Ferre, R. ; Martín, I. ; Vetter, M. ; Garín, M. ; Alcubilla, R.

Applied physics letters, 2005-11, Vol.87 (20), p.202109-202109-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
Comparison of air gap breakdown and substrate injection as mechanisms to induce dielectric charching in microelectromechanical switches
Comparison of air gap breakdown and substrate injection as mechanisms to induce dielectric charching in microelectromechanical switches
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Comparison of air gap breakdown and substrate injection as mechanisms to induce dielectric charching in microelectromechanical switches

Molinero Giles, David ; Castañer Muñoz, Luis María

Applied physics letters, 2007-07 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment
Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment
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Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment

Martín García, Isidro ; Vetter, Michael ; Orpella García, Alberto ; Voz Sánchez, Cristóbal ; Puigdollers i González, Joaquim ; Alcubilla González, Ramón ; Kharchenko, A.V ; Roca i Cabarrocas, Pere

Applied physics letters, 2003-10 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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