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Optical properties of pure, 'ND POT.3+'-doped and 'PR POT.3+'-doped fluoroindate glasses
Optical properties of pure, 'ND POT.3+'-doped and 'PR POT.3+'-doped fluoroindate glasses
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical properties of pure, 'ND POT.3+'-doped and 'PR POT.3+'-doped fluoroindate glasses

C X Cardoso Y Messaddeq; Luiz Antônio de Oliveira Nunes; Michel Andre Aegerter; International Symposium on Halide Glasses (8. 1993 Perros-Guirec)

Proceedings Lannion : Centre National d'Etudes des Telecommunications - CNET, 1993

Lannion Centre National d'Etudes des Telecommunications - CNET 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002754 ) e outros locais(Acessar)

2
Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs
Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs

J E Manzoli Murilo Araújo Romero; Oscar Hipólito; European Solid-State Device Research Conference (28. 1998 Bordeaux)

Proceedings Bordeaux , 1998

Bordeaux 1998

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD005877 ) e outros locais(Acessar)

3
Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers
Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers

C A C Mendonca L M R Scolfaro; André Bohomoletz Henriques; J. B. B Oliveira; F Plentz; S M Shibli; E A Meneses; J. R Leite (José Roberto); International Conference on the Physics of Semiconductors (21. 1992 Beijing)

Proceedings Singapura : World Scientific, 1993

Singapura World Scientific 1993

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4
Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures
Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Capacitance spectroscopy of InAS/GaAs quantum dots structures

A J Chiquito Yuri A Pusep; S Mergulhao; J C Galzerani; N T Moshegov; International Conference on the Physics of Semiconductors (25. 2000 Osaka)

Berlin: Springer-Verlag, 2001 Proceedings

Berlin Springer-Verlag 2001

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD007340 ) e outros locais(Acessar)

5
Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices
Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Collective plasma response of interacting electrons localized in disordered GaAs/AlGaAs superlattices

Yuri A Pusep W Fortunato; Pedro Pablo González-Borrero; A I Toropov; J C Galzerani; International Conference on the Physics of Semiconductors (25. 2000 Osaka)

Berlin: Springer-Verlag, 2001 Proceedings

Berlin Springer-Verlag 2001

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD007341 ) e outros locais(Acessar)

6
Study of auger upconversion process in 'Cr POT.3+' and 'Nd POT.3+' doped solids
Study of auger upconversion process in 'Cr POT.3+' and 'Nd POT.3+' doped solids
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of auger upconversion process in 'Cr POT.3+' and 'Nd POT.3+' doped solids

Viviane Pilla A. A Andrade; Tomaz Catunda; H. P Jenssen; A Cassanho; Iberoamerican Meeting on Optics (4. 2001 Tandil); Latin American Meeting on Optics, Lasers, and Their Applications (7. 2001 Tandil)

Bellingham: SPIE, 2001 Proceedings

Belingham SPIE 2001

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD007390 ) e outros locais(Acessar)

7
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)

Pierre Basmaji Máximo Siu Li; G L Allan; D Lavielle; J C Portal; Brazilian School of Semiconductor Physics (4. 1989 Belo Horizonte)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1990

Singapore World Scientific 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000978 ) e outros locais(Acessar)

8
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8

Adalberto Fazzio A. C Ferraz (Armando Corbani); Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (8. 1997 São Paulo)

São Paulo : Sociedade de Fisica, 1997 Proceedings

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1997

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9
Optical properties of 'IN'-based fluoride glasses doped with 'ER POT.3+'
Optical properties of 'IN'-based fluoride glasses doped with 'ER POT.3+'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical properties of 'IN'-based fluoride glasses doped with 'ER POT.3+'

A Florez M A Aegerter; Y Messaddeq; O L Malta; International Congress on Glass (17. 1995 Beijing)

Proceedings Beijing : Chinese Ceramic Society, 1995

Beijing Chinese Ceramic Society 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003836 ) e outros locais(Acessar)

10
Judd-ofelt parameters of 'PR POT.3+' ions in fluoroindate glasses . A better approximation
Judd-ofelt parameters of 'PR POT.3+' ions in fluoroindate glasses . A better approximation
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Judd-ofelt parameters of 'PR POT.3+' ions in fluoroindate glasses . A better approximation

A Florez M A Aegerter; Y Messaddeq; O L Malta; International Congress on Glass (17. 1995 Beijing)

Proceedings Beijing : Chinese Ceramic Society, 1995

Beijing Chinese Ceramic Society 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003835 ) e outros locais(Acessar)

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