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1
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
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Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)

J Bertini João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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2
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
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Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

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3
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
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A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

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4
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
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A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

João Antonio Martino 1959- Marcelo Antonio Pavanello; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

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5
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
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Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

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6
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)

P T Hoashi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

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7
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; E A Gutierrez; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

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  2. Martino, J
  3. Pavanello, M
  4. Hoashi, P
  5. Sonnenberg, V

Neste Assunto:

  1. Circuitos Integrados
  2. Semicondutores
  3. Semicondutores

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