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Effect of doping concentration on the performance of terahertz quantum-cascade lasers
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Effect of doping concentration on the performance of terahertz quantum-cascade lasers

Liu, H. C. ; Wächter, M. ; Ban, D. ; Wasilewski, Z. R. ; Buchanan, M. ; Aers, G. C. ; Cao, J. C. ; Feng, S. L. ; Williams, B. S. ; Hu, Q.

Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (14) [Periódico revisado por pares]

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2
Light-hole and heavy-hole transitions for high-temperature long-wavelength infrared detection
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Light-hole and heavy-hole transitions for high-temperature long-wavelength infrared detection

Lao, Y F ; Pitigala, P K. D. D. P ; Perera, A G. U ; Liu, H C ; Buchanan, M ; Wasilewski, Z R ; Choi, K K ; Wijewarnasuriya, P

Applied physics letters, 2010-08, Vol.97 (9), p.091104-091104-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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3
NIR, MWIR and LWIR quantum well infrared photodetector using interband and intersubband transitions
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NIR, MWIR and LWIR quantum well infrared photodetector using interband and intersubband transitions

Alves, Fabio Durante P. ; Karunasiri, G. ; Hanson, N. ; Byloos, M. ; Liu, H.C. ; Bezinger, A. ; Buchanan, M.

Infrared physics & technology, 2007-04, Vol.50 (2-3), p.182-186 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
Metal-Grating-Coupled Terahertz Quantum-Well Photodetectors
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Metal-Grating-Coupled Terahertz Quantum-Well Photodetectors

Zhang, R ; Guo, X G ; Song, C Y ; Buchanan, M ; Wasilewski, Z R ; Cao, J C ; Liu, H C

IEEE electron device letters, 2011-05, Vol.32 (5), p.659-661 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
Uncooled infrared detectors for 3 - 5 μ m and beyond
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Uncooled infrared detectors for 3 - 5 μ m and beyond

Jayaweera, P V. V ; Matsik, S G ; Perera, A G. U ; Liu, H C ; Buchanan, M ; Wasilewski, Z R

Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (2), p.021105-021105-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
Optimized GaAs∕AlGaAs light-emitting diodes and high efficiency wafer-fused optical up-conversion devices
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Optimized GaAs∕AlGaAs light-emitting diodes and high efficiency wafer-fused optical up-conversion devices

Ban, D. ; Luo, H. ; Liu, H. C. ; Wasilewski, Z. R. ; SpringThorpe, A. J. ; Glew, R. ; Buchanan, M.

Journal of applied physics, 2004-11, Vol.96 (9), p.5243-5248 [Periódico revisado por pares]

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7
Room temperature nano- and microstructure photon detectors
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Room temperature nano- and microstructure photon detectors

Perera, A.G.U. ; Jayaweera, P.V.V. ; Ariyawansa, G. ; Matsik, S.G. ; Tennakone, K. ; Buchanan, M. ; Liu, H.C. ; Su, X.H. ; Bhattacharya, P.

Microelectronics, 2009-03, Vol.40 (3), p.507-511 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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8
Negative capacitance effect in semiconductor devices
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Negative capacitance effect in semiconductor devices

Ershov, M. ; Liu, H.C. ; Li, L. ; Buchanan, M. ; Wasilewski, Z.R. ; Jonscher, A.K.

IEEE transactions on electron devices, 1998-10, Vol.45 (10), p.2196-2206 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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9
Addressing Grand Energy Challenges through Advanced Materials
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Addressing Grand Energy Challenges through Advanced Materials

Dresselhaus, M. S. ; Crabtree, G. W. ; Buchanan, M. V.

MRS bulletin, 2005-07, Vol.30 (7), p.518-524 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

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10
High absorption (>90%) quantum-well infrared photodetectors
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High absorption (>90%) quantum-well infrared photodetectors

Liu, H. C. ; Dudek, R. ; Shen, A. ; Dupont, E. ; Song, C. Y. ; Wasilewski, Z. R. ; Buchanan, M.

Applied physics letters, 2001-12, Vol.79 (25), p.4237-4239 [Periódico revisado por pares]

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