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Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface
Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface
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Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface

S Martini A. A Quivy (Alain André); T. E Lamas (Tomás Erikson); M J da Silva; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Journal of Crystal Growth Amsterdam v. 251, n. 1-4, p. 101-105, 2003

Amsterdam 2003

Acesso online

2
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'
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InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'

M J da Silva A. A Quivy (Alain André); S Martini; T E Lamas; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Applied Physics Letters Woodbury v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003

Woodbury 2003

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3
Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix
Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix
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Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix

M J da Silva A. A Quivy (Alain André); S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Journal of Crystal Growth Amsterdam v. 251, n. 1-4, p. 181-185, 2003

Amsterdam 2003

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Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm
Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm
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Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm

M J da Silva S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003

Oxford 2003

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5
Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction
Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction
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Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction

S Martini A. A Quivy (Alain André); M J da Silva; T E Lamas; E C F da Silva; J. R Leite (José Roberto); E Abramof

Journal of Applied Physics v. 94, n. 11, p. 7050-7052, 2003

New york 2003

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6
Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction
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S Martini A. A Quivy (Alain André); M J da Silva; T E Lamas; E C F da Silva; J. R Leite (José Roberto); E Abramof

Journal of Applied Physics v. 94, n. 11, p. 7050-7052, 2003

New york 2003

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Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface
Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface
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S Martini A. A Quivy (Alain André); T. E Lamas (Tomás Erikson); M J da Silva; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Journal of Crystal Growth Amsterdam v. 251, n. 1-4, p. 101-105, 2003

Amsterdam 2003

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InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'
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InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'

M J da Silva A. A Quivy (Alain André); S Martini; T E Lamas; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Applied Physics Letters Woodbury v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003

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Optical response at 1.3 'mu'm and 1.5 'mu'm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix
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M J da Silva A. A Quivy (Alain André); S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Journal of Crystal Growth Amsterdam v. 251, n. 1-4, p. 181-185, 2003

Amsterdam 2003

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Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm
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M J da Silva S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003

Oxford 2003

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  2. Quivy, A
  3. Silva, M
  4. Silva, S
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Neste Assunto:

  1. Estrutura Eletrônica
  2. Fotoluminescência
  3. Difração Por Raios X
  4. Semicondutores
  5. Filmes Finos

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