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Refinado por: assunto: Aluminum Gallium Nitrides remover assunto: Field Effect Transistors remover
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Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors
Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors
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Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors

Sai, P. ; Jorudas, J. ; Dub, M. ; Sakowicz, M. ; Jakštas, V. ; But, D. B. ; Prystawko, P. ; Cywinski, G. ; Kašalynas, I. ; Knap, W. ; Rumyantsev, S.

Applied physics letters, 2019-10, Vol.115 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector
Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector
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Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector

Dyakonova, N. ; Faltermeier, P. ; But, D. B. ; Coquillat, D. ; Ganichev, S. D. ; Knap, W. ; Szkudlarek, K. ; Cywinski, G.

Journal of applied physics, 2016-10, Vol.120 (16), p.164507 [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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