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Refinado por: assunto: Molecular Beam Epitaxy remover
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Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs

Santos, Thales Borrely Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2023-05-09

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

12
MBE and MOVCD, new structures and devices
Material Type:
Vídeo 		Adicionar ao Meu Espaço

MBE and MOVCD, new structures and devices

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Piscataway, NJ Institute of Electrical and Electronics Engineers c1989

Localização: EPELM - Esc. Politécnica-Bib Eng Elet., Mec. e Naval    (VC 621.381 M459 v.4 )(Acessar)

13
Delta-doping of semiconductors
Delta-doping of semiconductors
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Delta-doping of semiconductors

E. Fred Schubert

Cambridge Cambridge University Press New York 1996

Localização: IF - Instituto de Física    (621.38152 S384d ex.2 ) e outros locais(Acessar)

14
Papers from the 16th International Vacuum Microelectronics Conference
Material Type:
Recurso Textual 		Adicionar ao Meu Espaço

Papers from the 16th International Vacuum Microelectronics Conference

International Vacuum Microelectronics Conference (16th 2003 Osaka, Japan) Yasuhiko Gotoh; Junzo Ishikawa; Mikio Takai; William Goodhue; American Vacuum Society; North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (21st 2003 Keystone, Colo.)

Issued as: Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures 2nd ser., v. 22, no. 3 (May/June 2004)

New York Published by AVS through the American Institute of Physics c2004

Localização: IF - Instituto de Física    (J.Vac.Sci.Technol.B v.22 n.3 )(Acessar)

15
Instrumentação eletrônica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares
Instrumentação eletrônica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Instrumentação eletrônica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares

Arakaki, Haroldo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1994-03-29

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos

Lamas, Tomás Erikson

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2004-05-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride and novel IR detector materials San Francisco, CA 1990
Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride and novel IR detector materials San Francisco, CA 1990
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride and novel IR detector materials San Francisco, CA 1990

David G Seiler; American Institute of Physics; American Vacuum Society; U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride and Novel Infrared Detector Materials (9th 1990 San Francisco, Calif.)

New York American Institute of Physics c1991

Localização: IF - Instituto de Física    (MS AIP v.235 ) e outros locais(Acessar)

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Numerical approximations for the molecular beam epitaxial growth model based on the invariant energy quadratization method
Numerical approximations for the molecular beam epitaxial growth model based on the invariant energy quadratization method
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Numerical approximations for the molecular beam epitaxial growth model based on the invariant energy quadratization method

Yang, Xiaofeng ; Zhao, Jia ; Wang, Qi

Journal of computational physics, 2017-03, Vol.333, p.104-127 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Elsevier Inc

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Direct band-gap crossover in epitaxial monolayer boron nitride
Direct band-gap crossover in epitaxial monolayer boron nitride
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Direct band-gap crossover in epitaxial monolayer boron nitride

Elias, C ; Valvin, P ; Pelini, T ; Summerfield, A ; Mellor, C J ; Cheng, T S ; Eaves, L ; Foxon, C T ; Beton, P H ; Novikov, S V ; Gil, B ; Cassabois, G

Nature communications, 2019-06, Vol.10 (1), p.2639-7, Article 2639 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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Two-dimensional materials: Polyphony in B flat
Two-dimensional materials: Polyphony in B flat
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Two-dimensional materials: Polyphony in B flat

Zhang, Zhuhua ; Penev, Evgeni S ; Yakobson, Boris I

Nature chemistry, 2016-06, Vol.8 (6), p.525-527 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

Texto completo disponível

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