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MBE grown Ga2O3 and its power device applications
MBE grown Ga2O3 and its power device applications
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MBE grown Ga2O3 and its power device applications

Sasaki, Kohei ; Higashiwaki, Masataka ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.591-595 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy
Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy
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Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy

Ptak, A.J. ; France, R. ; Beaton, D.A. ; Alberi, K. ; Simon, J. ; Mascarenhas, A. ; Jiang, C.-S.

Journal of crystal growth, 2012, Vol.338 (1), p.107-110 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
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Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates

Toh, Katsuaki ; Hara, Kosuke O. ; Usami, Noritaka ; Saito, Noriyuki ; Yoshizawa, Noriko ; Toko, Kaoru ; Suemasu, Takashi

Journal of crystal growth, 2012-04, Vol.345 (1), p.16-21 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
A Thin Film Approach to Engineering Functionality into Oxides
A Thin Film Approach to Engineering Functionality into Oxides
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A Thin Film Approach to Engineering Functionality into Oxides

Schlom, Darrell G. ; Chen, Long-Qing ; Pan, Xiaoqing ; Schmehl, Andreas ; Zurbuchen, Mark A.

Journal of the American Ceramic Society, 2008-08, Vol.91 (8), p.2429-2454 [Periódico revisado por pares]

Malden, USA: Blackwell Publishing Inc

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5
Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer
Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer
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Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer

Rieger, Torsten ; Heiderich, Sonja ; Lenk, Steffi ; Lepsa, Mihail Ion ; Grützmacher, Detlev

Journal of crystal growth, 2012-08, Vol.353 (1), p.39-46 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Epitaxial growth of strained and unstrained GeSn alloys up to 25% Sn
Epitaxial growth of strained and unstrained GeSn alloys up to 25% Sn
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Epitaxial growth of strained and unstrained GeSn alloys up to 25% Sn

Oehme, Michael ; Kostecki, Konrad ; Schmid, Marc ; Oliveira, Filipe ; Kasper, Erich ; Schulze, Jörg

Thin solid films, 2014-04, Vol.557, p.169-172 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Epitaxial growth of topological insulator Bi2Se3 film on Si(111) with atomically sharp interface
Epitaxial growth of topological insulator Bi2Se3 film on Si(111) with atomically sharp interface
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Epitaxial growth of topological insulator Bi2Se3 film on Si(111) with atomically sharp interface

BANSAL, Namrata ; YONG SEUNG KIM ; GUSTAFSSON, Torgny ; ANDREI, Eva ; OH, Seongshik ; EDREY, Eliav ; BRAHLEK, Matthew ; HORIBE, Yoichi ; IIDA, Keiko ; TANIMURA, Makoto ; LI, Guo-Hong ; TIAN FENG ; LEE, Hang-Dong

Thin solid films, 2011-10, Vol.520 (1), p.224-229 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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8
Structural and optical properties of Ga2O3 films on sapphire substrates by pulsed laser deposition
Structural and optical properties of Ga2O3 films on sapphire substrates by pulsed laser deposition
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Structural and optical properties of Ga2O3 films on sapphire substrates by pulsed laser deposition

Zhang, F.B. ; Saito, K. ; Tanaka, T. ; Nishio, M. ; Guo, Q.X.

Journal of crystal growth, 2014-02, Vol.387, p.96-100 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111)
Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111)
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Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111)

Feng, Baojie ; Ding, Zijing ; Meng, Sheng ; Yao, Yugui ; He, Xiaoyue ; Cheng, Peng ; Chen, Lan ; Wu, Kehui

Nano letters, 2012-07, Vol.12 (7), p.3507-3511 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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10
CAVET on Bulk GaN Substrates Achieved With MBE-Regrown AlGaN/GaN Layers to Suppress Dispersion
CAVET on Bulk GaN Substrates Achieved With MBE-Regrown AlGaN/GaN Layers to Suppress Dispersion
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CAVET on Bulk GaN Substrates Achieved With MBE-Regrown AlGaN/GaN Layers to Suppress Dispersion

Chowdhury, S. ; Man Hoi Wong ; Swenson, B. L. ; Mishra, U. K.

IEEE electron device letters, 2012-01, Vol.33 (1), p.41-43 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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