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1
Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada
Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada
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Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada

Zeidan, Ahmad Al

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2017-10-03

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs

Santos, Thales Borrely Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2023-05-09

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Optically enhanced single- and multi-stacked 1.55 μm InAs/InAlGaAs/InP quantum dots for laser applications
Optically enhanced single- and multi-stacked 1.55 μm InAs/InAlGaAs/InP quantum dots for laser applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optically enhanced single- and multi-stacked 1.55 μm InAs/InAlGaAs/InP quantum dots for laser applications

Yu, Xuezhe ; Jia, Hui ; Dear, Calum ; Yuan, Jiajing ; Deng, Huiwen ; Tang, Mingchu ; Liu, Huiyun

Journal of physics. D, Applied physics, 2023-07, Vol.56 (28), p.285101 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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4
Arsenides-and related III-V materials-based multilayered structures for terahertz applications: Various designs and growth technology
Arsenides-and related III-V materials-based multilayered structures for terahertz applications: Various designs and growth technology
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Arsenides-and related III-V materials-based multilayered structures for terahertz applications: Various designs and growth technology

Yachmenev, Alexander E. ; Pushkarev, Sergey S. ; Reznik, Rodion R. ; Khabibullin, Rustam A. ; Ponomarev, Dmitry S.

Progress in crystal growth and characterization of materials, 2020-05, Vol.66 (2), p.100485, Article 100485 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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5
Emission at 1.6 μm from InAs Quantum Dots in Metamorphic InGaAs Matrix
Emission at 1.6 μm from InAs Quantum Dots in Metamorphic InGaAs Matrix
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Emission at 1.6 μm from InAs Quantum Dots in Metamorphic InGaAs Matrix

Zhan, Wenbo ; Ishida, Satomi ; Kwoen, Jinkwan ; Watanabe, Katsuyuki ; Iwamoto, Satoshi ; Arakawa, Yasuhiko

physica status solidi (b), 2020-02, Vol.257 (2), p.n/a [Periódico revisado por pares]

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6
Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface
Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface
Material Type:
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Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface

Mano, Takaaki ; Ohtake, Akihiro ; Kawazu, Takuya ; Miyazaki, Hideki T. ; Sakuma, Yoshiki

ACS applied materials & interfaces, 2023-06, Vol.15 (24), p.29636-29642 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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7
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction

Borrely, T. ; Alzeidan, A. ; de Lima, M.D. ; Jacobsen, G.M. ; Huang, T.-Y. ; Yang, Y.-C. ; Cantalice, T.F. ; Goldman, R.S. ; Teodoro, M.D. ; Quivy, A.A.

Solar energy materials and solar cells, 2023-06, Vol.254, p.112281, Article 112281 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
Growth by molecular beam epitaxy and characterization of n-InAs films on sapphire substrates
Growth by molecular beam epitaxy and characterization of n-InAs films on sapphire substrates
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth by molecular beam epitaxy and characterization of n-InAs films on sapphire substrates

Nikolaevich Klochkov, Aleksey ; Nikolaevich Vinichenko, Aleksander ; Alekseevich Samolyga, Artyom ; Mihailovich Ryndya, Sergey ; Viktorovich Poliakov, Maksim ; Ivanovich Kargin, Nikolay ; Sergeevich Vasil'evskii, Ivan

Applied surface science, 2023-05, Vol.619, p.156722, Article 156722 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

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9
Role of Liquid Indium in the Structural Purity of Wurtzite InAs Nanowires That Grow on Si(111)
Role of Liquid Indium in the Structural Purity of Wurtzite InAs Nanowires That Grow on Si(111)
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Role of Liquid Indium in the Structural Purity of Wurtzite InAs Nanowires That Grow on Si(111)

Biermanns, Andreas ; Dimakis, Emmanouil ; Davydok, Anton ; Sasaki, Takuo ; Geelhaar, Lutz ; Takahasi, Masamitu ; Pietsch, Ullrich

Nano letters, 2014-12, Vol.14 (12), p.6878-6883 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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10
Phonon Characteristics of Gas-Source Molecular Beam Epitaxy-Grown InAs1−xNx/InP (001) with Identification of Si, Mg and C Impurities in InAs and InN
Phonon Characteristics of Gas-Source Molecular Beam Epitaxy-Grown InAs1−xNx/InP (001) with Identification of Si, Mg and C Impurities in InAs and InN
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Phonon Characteristics of Gas-Source Molecular Beam Epitaxy-Grown InAs1−xNx/InP (001) with Identification of Si, Mg and C Impurities in InAs and InN

Talwar, Devki N. ; Yang, Tzuen-Rong ; Lin, Hao-Hsiung

Crystals (Basel), 2023-10, Vol.13 (10), p.1508 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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