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High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure
High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure
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High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure

Rong, Xin ; Wang, Xinqiang ; Ivanov, Sergey V. ; Jiang, Xinhe ; Chen, Guang ; Wang, Ping ; Wang, Weiying ; He, Chenguang ; Wang, Tao ; Schulz, Tobias ; Albrecht, Martin ; Jmerik, Valentin N. ; Toropov, Alexey A. ; Ratnikov, Viacheslav V. ; Kozlovsky, Vladimir I. ; Martovitsky, Victor P. ; Jin, Peng ; Xu, Fujun ; Yang, Xuelin ; Qin, Zhixin ; Ge, Weikun ; Shi, Junjie ; Shen, Bo

Advanced materials (Weinheim), 2016-09, Vol.28 (36), p.7978-7983 [Periódico revisado por pares]

Germany: Blackwell Publishing Ltd

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2
Fabrication and Characterization of Silicon-Based Antimonene Thin Film via Electron Beam Evaporation
Fabrication and Characterization of Silicon-Based Antimonene Thin Film via Electron Beam Evaporation
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Fabrication and Characterization of Silicon-Based Antimonene Thin Film via Electron Beam Evaporation

Zhong, Tingting ; Zeng, Lina ; Yang, Junfeng ; Shu, Yichao ; Sun, Li ; Li, Zaijin ; Chen, Hao ; Liu, Guojun ; Qiao, Zhongliang ; Qu, Yi ; Xu, Dongxin ; Li, Lianhe ; Li, Lin

Materials, 2024-02, Vol.17 (5), p.1090 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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3
Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio‐Frequency Molecular Beam Epitaxy
Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio‐Frequency Molecular Beam Epitaxy
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Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio‐Frequency Molecular Beam Epitaxy

Wada, Yuichi ; Deura, Momoko ; Kuroda, Yuya ; Goto, Naoki ; Kayamoto, Seiya ; Fujii, Takashi ; Mouri, Shinichiro ; Araki, Tsutomu

physica status solidi (b), 2023-07, Vol.260 (7), p.n/a [Periódico revisado por pares]

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4
Epitaxial growth of two-dimensional stanene
Epitaxial growth of two-dimensional stanene
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Epitaxial growth of two-dimensional stanene

Zhu, Feng-feng ; Chen, Wei-jiong ; Xu, Yong ; Gao, Chun-lei ; Guan, Dan-dan ; Liu, Can-hua ; Qian, Dong ; Zhang, Shou-Cheng ; Jia, Jin-feng

Nature materials, 2015-10, Vol.14 (10), p.1020-1025 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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5
Investigation of interdiffusion in thin films of ZnO/ZnCdO grown by molecular beam epitaxy
Investigation of interdiffusion in thin films of ZnO/ZnCdO grown by molecular beam epitaxy
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Investigation of interdiffusion in thin films of ZnO/ZnCdO grown by molecular beam epitaxy

Stachowicz, M. ; Sajkowski, J.M. ; Pietrzyk, M.A. ; Faye, D.Nd ; Magalhaes, S. ; Alves, E. ; Reszka, A. ; Pieniążek, A. ; Kozanecki, A.

Thin solid films, 2023-09, Vol.781, p.140003, Article 140003 [Periódico revisado por pares]

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6
Epitaxial growth of ultraflat stanene with topological band inversion
Epitaxial growth of ultraflat stanene with topological band inversion
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Epitaxial growth of ultraflat stanene with topological band inversion

Deng, Jialiang ; Xia, Bingyu ; Ma, Xiaochuan ; Chen, Haoqi ; Shan, Huan ; Zhai, Xiaofang ; Li, Bin ; Zhao, Aidi ; Xu, Yong ; Duan, Wenhui ; Zhang, Shou-Cheng ; Wang, Bing ; Hou, J G

Nature materials, 2018-12, Vol.17 (12), p.1081-1086 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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7
Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets
Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets
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Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets

Pan, D ; Fan, D. X ; Kang, N ; Zhi, J. H ; Yu, X. Z ; Xu, H. Q ; Zhao, J. H

Nano letters, 2016-02, Vol.16 (2), p.834-841 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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8
Self-induced growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: A critical review of the formation mechanisms
Self-induced growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: A critical review of the formation mechanisms
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Self-induced growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: A critical review of the formation mechanisms

Consonni, V.

Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2013-10, Vol.7 (10), p.699-712 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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9
Impact of Stoichiometry on the Structure of van der Waals Layered GeTe/Sb2Te3 Superlattices Used in Interfacial Phase‐Change Memory (iPCM) Devices
Impact of Stoichiometry on the Structure of van der Waals Layered GeTe/Sb2Te3 Superlattices Used in Interfacial Phase‐Change Memory (iPCM) Devices
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Impact of Stoichiometry on the Structure of van der Waals Layered GeTe/Sb2Te3 Superlattices Used in Interfacial Phase‐Change Memory (iPCM) Devices

Kowalczyk, Philippe ; Hippert, Françoise ; Bernier, Nicolas ; Mocuta, Cristian ; Sabbione, Chiara ; Batista‐Pessoa, Walter ; Noé, Pierre

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2018-06, Vol.14 (24), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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10
Superconductivity in a quintuple-layer square-planar nickelate
Superconductivity in a quintuple-layer square-planar nickelate
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Superconductivity in a quintuple-layer square-planar nickelate

Pan, Grace A ; Ferenc Segedin, Dan ; LaBollita, Harrison ; Song, Qi ; Nica, Emilian M ; Goodge, Berit H ; Pierce, Andrew T ; Doyle, Spencer ; Novakov, Steve ; Córdova Carrizales, Denisse ; N'Diaye, Alpha T ; Shafer, Padraic ; Paik, Hanjong ; Heron, John T ; Mason, Jarad A ; Yacoby, Amir ; Kourkoutis, Lena F ; Erten, Onur ; Brooks, Charles M ; Botana, Antia S ; Mundy, Julia A

Nature materials, 2022-02, Vol.21 (2), p.160-164 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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