Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Livro
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The Technology and physics of molecular beam epitaxyE. H. C ParkerNew York Plenum Press c1985Localização: IF - Instituto de Física (537.622 P238t ) e outros locais(Acessar) |
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Material Type: Livro
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Delta-doping of semiconductorsE. Fred SchubertCambridge Cambridge University Press New York 1996Localização: IF - Instituto de Física (621.38152 S384d ex.2 ) e outros locais(Acessar) |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicosLamas, Tomás EriksonBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2004-05-26Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Livro
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Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride and novel IR detector materials San Francisco, CA 1990David G Seiler; American Institute of Physics; American Vacuum Society; U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride and Novel Infrared Detector Materials (9th 1990 San Francisco, Calif.)New York American Institute of Physics c1991Localização: IF - Instituto de Física (MS AIP v.235 ) e outros locais(Acessar) |
5 |
Material Type: Artigo
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MBE growth of strain-compensated InGaAs/InAlAs/InP quantum cascade lasersGutowski, P. ; Sankowska, I. ; Karbownik, P. ; Pierścińska, D. ; Serebrennikova, O. ; Morawiec, M. ; Pruszyńska-Karbownik, E. ; Gołaszewska-Malec, K. ; Pierściński, K. ; Muszalski, J. ; Bugajski, M.Journal of crystal growth, 2017-05, Vol.466, p.22-29 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Dark current reduction in microjunction-based double electron barrier type-II InAs/InAsSb superlattice long-wavelength infrared photodetectorsChevallier, Romain ; Haddadi, Abbas ; Razeghi, ManijehScientific reports, 2017-10, Vol.7 (1), p.12617-6, Article 12617 [Periódico revisado por pares]England: Nature Publishing GroupTexto completo disponível |
7 |
Material Type: Artigo
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Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substratesToh, Katsuaki ; Hara, Kosuke O. ; Usami, Noritaka ; Saito, Noriyuki ; Yoshizawa, Noriko ; Toko, Kaoru ; Suemasu, TakashiJournal of crystal growth, 2012-04, Vol.345 (1), p.16-21 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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A Thin Film Approach to Engineering Functionality into OxidesSchlom, Darrell G. ; Chen, Long-Qing ; Pan, Xiaoqing ; Schmehl, Andreas ; Zurbuchen, Mark A.Journal of the American Ceramic Society, 2008-08, Vol.91 (8), p.2429-2454 [Periódico revisado por pares]Malden, USA: Blackwell Publishing IncTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Van der Waals integration before and beyond two-dimensional materialsLiu, Yuan ; Huang, Yu ; Duan, XiangfengNature (London), 2019-03, Vol.567 (7748), p.323-333 [Periódico revisado por pares]England: Nature Publishing GroupTexto completo disponível |
10 |
Material Type: Artigo
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Identifying substitutional oxygen as a prolific point defect in monolayer transition metal dichalcogenidesBarja, Sara ; Refaely-Abramson, Sivan ; Schuler, Bruno ; Qiu, Diana Y ; Pulkin, Artem ; Wickenburg, Sebastian ; Ryu, Hyejin ; Ugeda, Miguel M ; Kastl, Christoph ; Chen, Christopher ; Hwang, Choongyu ; Schwartzberg, Adam ; Aloni, Shaul ; Mo, Sung-Kwan ; Frank Ogletree, D ; Crommie, Michael F ; Yazyev, Oleg V ; Louie, Steven G ; Neaton, Jeffrey B ; Weber-Bargioni, AlexanderNature communications, 2019-07, Vol.10 (1), p.3382-8, Article 3382 [Periódico revisado por pares]England: Nature Publishing GroupTexto completo disponível |