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ATK-ForceField: a new generation molecular dynamics software package
ATK-ForceField: a new generation molecular dynamics software package
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ATK-ForceField: a new generation molecular dynamics software package

Schneider, Julian ; Hamaekers, Jan ; Chill, Samuel T ; Smidstrup, Søren ; Bulin, Johannes ; Thesen, Ralph ; Blom, Anders ; Stokbro, Kurt

Modelling and simulation in materials science and engineering, 2017-10, Vol.25 (8), p.85007 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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2
Effect of iron doping on protein molecular conductance
Effect of iron doping on protein molecular conductance
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Effect of iron doping on protein molecular conductance

Lebedev, Nikolai ; Griva, Igor ; Blom, Anders ; Tender, Leonard M

Physical chemistry chemical physics : PCCP, 2018, Vol.20 (20), p.14072-14081 [Periódico revisado por pares]

England: Royal Society of Chemistry

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Properties of homo- and hetero-Schottky junctions from first principle calculations
Properties of homo- and hetero-Schottky junctions from first principle calculations
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Properties of homo- and hetero-Schottky junctions from first principle calculations

Greer, James C ; Blom, Anders ; Ansari, Lida

Journal of physics. Condensed matter, 2018-10, Vol.30 (41), p.414003-414003 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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4
Atomic-scale model for the contact resistance of the nickel-graphene interface
Atomic-scale model for the contact resistance of the nickel-graphene interface
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Atomic-scale model for the contact resistance of the nickel-graphene interface

Stokbro, Kurt ; Engelund, Mads ; Blom, Anders

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2012-04, Vol.85 (16), Article 165442

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5
Exact Solution of the Zeeman Effect in Single-Electron Systems
Exact Solution of the Zeeman Effect in Single-Electron Systems
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Exact Solution of the Zeeman Effect in Single-Electron Systems

Blom, A

Physica scripta, 2005-01, Vol.2005, p.90-98 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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6
General atomistic approach for modeling metal-semiconductor interfaces using density functional theory and nonequilibrium Green's function
General atomistic approach for modeling metal-semiconductor interfaces using density functional theory and nonequilibrium Green's function
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General atomistic approach for modeling metal-semiconductor interfaces using density functional theory and nonequilibrium Green's function

Stradi, Daniele ; Martinez, Umberto ; Blom, Anders ; Brandbyge, Mads ; Stokbro, Kurt

Physical review. B, 2016-04, Vol.93 (15), Article 155302 [Periódico revisado por pares]

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7
QuantumATK: an integrated platform of electronic and atomic-scale modelling tools
QuantumATK: an integrated platform of electronic and atomic-scale modelling tools
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QuantumATK: an integrated platform of electronic and atomic-scale modelling tools

Smidstrup, Søren ; Markussen, Troels ; Vancraeyveld, Pieter ; Wellendorff, Jess ; Schneider, Julian ; Gunst, Tue ; Verstichel, Brecht ; Stradi, Daniele ; Khomyakov, Petr A ; Vej-Hansen, Ulrik G ; Lee, Maeng-Eun ; Chill, Samuel T ; Rasmussen, Filip ; Penazzi, Gabriele ; Corsetti, Fabiano ; Ojanperä, Ari ; Jensen, Kristian ; Palsgaard, Mattias L N ; Martinez, Umberto ; Blom, Anders ; Brandbyge, Mads ; Stokbro, Kurt

Journal of physics. Condensed matter, 2020-01, Vol.32 (1), p.015901-015901 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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8
Atomistic modeling of semiconductor interfaces
Atomistic modeling of semiconductor interfaces
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Atomistic modeling of semiconductor interfaces

Blom, Anders ; Stokbro, Kurt

Journal of computational electronics, 2013-12, Vol.12 (4), p.623-637 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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Ab initio LCAO hybrid density-functional method for accurate, large-scale electronic structure simulations of semiconductor materials, interfaces and gate stacks
Ab initio LCAO hybrid density-functional method for accurate, large-scale electronic structure simulations of semiconductor materials, interfaces and gate stacks
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Ab initio LCAO hybrid density-functional method for accurate, large-scale electronic structure simulations of semiconductor materials, interfaces and gate stacks

Khomyakov, Petr A. ; Wellendorff, Jess ; Palsgaard, Mattias ; Gunst, Tue ; Miyagi, Haruhide ; Verstichel, Brecht ; Corsetti, Fabiano ; Arcisauskaite, Vaida ; Martinez, Umberto ; Blom, Anders ; Smidstrup, Soren

2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2021, p.124-127

IEEE

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10
First-principles simulations of nanoscale transistors
First-principles simulations of nanoscale transistors
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

First-principles simulations of nanoscale transistors

Blom, Anders ; Martinez Pozzoni, Umberto ; Markussen, Troels ; Stokbro, Kurt

2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2015, p.52-55

IEEE

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