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The effect of oxygen in Ru gate electrode on effective work function of Ru/HfO2 stack structure
The effect of oxygen in Ru gate electrode on effective work function of Ru/HfO2 stack structure
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The effect of oxygen in Ru gate electrode on effective work function of Ru/HfO2 stack structure

NABATAME, T ; SEGAWA, K ; KADOSHIMA, M ; TAKABA, H ; IWAMOTO, K ; KIMURA, S ; NUNOSHIGE, Y ; SATAKE, H ; OHISHI, T ; TORIUMI, Akira

Materials science in semiconductor processing, 2006-12, Vol.9 (6), p.975-979 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Science

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Interlayer dielectric process for LSI circuits using positive photosensitive polyimide synthesized by block-copolymerization
Interlayer dielectric process for LSI circuits using positive photosensitive polyimide synthesized by block-copolymerization
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Interlayer dielectric process for LSI circuits using positive photosensitive polyimide synthesized by block-copolymerization

Aoyagi, Masahiro ; Segawa, Shigemasa ; Jung, EunSil ; Itatani, Taro ; Komuro, Masanori ; Sakamoto, Tsuenenori ; Itatani, Hiroshi ; Miyamura, Masataka ; Matsumoto, Shunichi

SPIE proceedings series, 2001, Vol.4345, p.1073-1078

Bellingham WA: SPIE

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