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Strain distribution in Si capping layers on SiGe islands: influence of cap thickness and footprint in reciprocal space
Strain distribution in Si capping layers on SiGe islands: influence of cap thickness and footprint in reciprocal space
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Strain distribution in Si capping layers on SiGe islands: influence of cap thickness and footprint in reciprocal space

Hrauda, N ; Zhang, J J ; Süess, M J ; Wintersberger, E ; Holý, V ; Stangl, J ; Deiter, C ; Seeck, O H ; Bauer, G

Nanotechnology, 2012-11, Vol.23 (46), p.465705-465705 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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2
Raman spectroscopy of Si1−xGex epilayers
Raman spectroscopy of Si1−xGex epilayers
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Raman spectroscopy of Si1−xGex epilayers

Pezzoli, F. ; Martinelli, Lucio ; Grilli, E. ; Guzzi, M. ; Sanguinetti, S. ; Bollani, M. ; Chrastina, H.D. ; Isella, G. ; Känel, H. von ; Wintersberger, E. ; Stangl, J. ; Bauer, G.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2005-12, Vol.124-125, p.127-131 [Periódico revisado por pares]

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Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition
Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition
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Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition

Chrastina, D. ; Isella, G. ; Bollani, M. ; Rössner, B. ; Müller, E. ; Hackbarth, T. ; Wintersberger, E. ; Zhong, Z. ; Stangl, J. ; von Känel, H.

Journal of crystal growth, 2005-08, Vol.281 (2), p.281-289 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si sub(1-xGe) sub(x)/Si heterostructures
Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si sub(1-xGe) sub(x)/Si heterostructures
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Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si sub(1-xGe) sub(x)/Si heterostructures

Pezzoli, F ; Bonera, E ; Grilli, E ; Guzzi, M ; Sanguinetti, S ; Chrastina, D ; Isella, G ; Von Kaenel, H ; Wintersberger, E ; Stangl, J ; Bauer, G

Materials science in semiconductor processing, 2008-10, Vol.11 (5-6), p.279-284 [Periódico revisado por pares]

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