Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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Mind the Microgap in Iridescent Cellulose Nanocrystal FilmsFernandes, Susete N. ; Almeida, Pedro L. ; Monge, Nuno ; Aguirre, Luis E. ; Reis, Dennys ; de Oliveira, Cristiano L. P. ; Neto, António M. F. ; Pieranski, Pawel ; Godinho, Maria H.Advanced materials (Weinheim), 2017-01, Vol.29 (2), p.np-n/a [Periódico revisado por pares]Germany: Wiley Subscription Services, IncTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Characterization of n-Type and p-Type Long-Wave InAs/InAsSb SuperlatticesBrown, A. E. ; Baril, N. ; Zuo, D. ; Almeida, L. A. ; Arias, J. ; Bandara, S.Journal of electronic materials, 2017-09, Vol.46 (9), p.5367-5373 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
3 |
Material Type: Artigo
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Electrical properties of a liquid crystal dispersed in an electrospun cellulose acetate networkMaximean, Doina Manaila ; Danila, Octavian ; Almeida, Pedro L ; Ganea, Constantin PaulBeilstein journal of nanotechnology, 2018-01, Vol.9 (1), p.155-163 [Periódico revisado por pares]Germany: Beilstein-Institut zur Föerderung der Chemischen WissenschaftenTexto completo disponível |
4 |
Material Type: Artigo
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Correlation of Etch Pits and Dislocations in As-grown and Thermal Cycle-Annealed HgCdTe(211) FilmsVaghayenegar, M. ; Jacobs, R. N. ; Benson, J. D. ; Stoltz, A. J. ; Almeida, L. A. ; Smith, David J.Journal of electronic materials, 2017-08, Vol.46 (8), p.5007-5019 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
5 |
Material Type: Artigo
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Defects and the Formation of Impurity ‘Hot Spots’ in HgCdTe/CdZnTeBenson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; Jacobs, R. N. ; Wang, A. ; Arias, J. M. ; Almeida, L. A. ; Stoltz, A. ; Reddy, M. ; Peterson, J. M. ; Johnson, S. M. ; Bangs, J. W. ; Lofgreen, D. D.Journal of electronic materials, 2019-10, Vol.48 (10), p.6194-6202 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
6 |
Material Type: Artigo
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TEM Characterization of HgCdTe/CdTe Grown on GaAs(211)B SubstratesKim, Jae Jin ; Jacobs, R. N. ; Almeida, L. A. ; Jaime-Vasquez, M. ; Nozaki, C. ; Smith, David J.Journal of electronic materials, 2013-11, Vol.42 (11), p.3142-3147 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
7 |
Material Type: Artigo
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A Review of the Characterization Techniques for the Analysis of Etch Processed Surfaces of HgCdTe and Related CompoundsStoltz, A. J. ; Benson, J. D. ; Jaime-Vasquez, M. ; Smith, P. J. ; Almeida, L. A. ; Jacobs, R. ; Markunas, J. ; Brogden, K. ; Brown, A. ; Lennon, C. ; Maloney, P. ; Supola, N.Journal of electronic materials, 2014-09, Vol.43 (9), p.3708-3717 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
8 |
Material Type: Artigo
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Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applicationsSasaki, K.R.A. ; Nicoletti, T. ; Almeida, L.M. ; dos Santos, S.D. ; Nissimoff, A. ; Aoulaiche, M. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J.A.Solid-state electronics, 2014-07, Vol.97, p.30-37 [Periódico revisado por pares]Kidlington: Elsevier LtdTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Impact of Tellurium Precipitates in CdZnTe Substrates on MBE HgCdTe DepositionBenson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; Smith, P. J. ; Jacobs, R. N. ; Markunas, J. K. ; Jaime-Vasquez, M. ; Almeida, L. A. ; Stoltz, A. ; Wijewarnasuriya, P. S. ; Brill, G. ; Chen, Y. ; Peterson, J. ; Reddy, M. ; Vilela, M. F. ; Johnson, S. M. ; Lofgreen, D. D. ; Yulius, A. ; Bostrup, G. ; Carmody, M. ; Lee, D. ; Couture, S.Journal of electronic materials, 2014-11, Vol.43 (11), p.3993-3998 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
10 |
Material Type: Artigo
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Impact of CdZnTe Substrates on MBE HgCdTe DepositionBenson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; Jaime-Vasquez, M. ; Arias, J. M. ; Smith, P. J. ; Jacobs, R. N. ; Markunas, J. K. ; Almeida, L. A. ; Stoltz, A. ; Wijewarnasuriya, P. S. ; Peterson, J. ; Reddy, M. ; Jones, K. ; Johnson, S. M. ; Lofgreen, D. D.Journal of electronic materials, 2017-09, Vol.46 (9), p.5418-5423 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |